ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Growth Processes and Surface Phase Equilibria in Molecular Beam Epitaxy

دانلود کتاب فرآیندهای رشد و تعادل فاز سطحی در اپیتاکسی پرتو مولکولی

Growth Processes and Surface Phase Equilibria in Molecular Beam Epitaxy

مشخصات کتاب

Growth Processes and Surface Phase Equilibria in Molecular Beam Epitaxy

ویرایش: 1 
نویسندگان:   
سری: Springer Tracts in Modern Physics 156 
ISBN (شابک) : 9783540489559 
ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg 
سال نشر: 1999 
تعداد صفحات: 89 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 4 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 39,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب فرآیندهای رشد و تعادل فاز سطحی در اپیتاکسی پرتو مولکولی: سطوح و رابط ها، لایه های نازک



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 18


در صورت تبدیل فایل کتاب Growth Processes and Surface Phase Equilibria in Molecular Beam Epitaxy به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب فرآیندهای رشد و تعادل فاز سطحی در اپیتاکسی پرتو مولکولی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب فرآیندهای رشد و تعادل فاز سطحی در اپیتاکسی پرتو مولکولی



این کتاب پدیده‌های اصلی مرتبط با رشد را که در طول رشد همپایه رخ می‌دهند، مانند اچینگ حرارتی، دوپینگ، جداسازی عناصر اصلی و ناخالصی‌ها، هم‌زیستی چند فاز در سطح کریستال و انتشار افزایش یافته با جداسازی در نظر می‌گیرد.
با جداول، نمودارها و شکل‌هایی کامل است که امکان تعیین سریع پارامترهای رشد مناسب برای کاربردهای عملی را فراهم می‌کند.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The book considers the main growth-related phenomena occurring during epitaxial growth, such as thermal etching, doping, segregation of the main elements and impurities, coexistence of several phases at the crystal surface and segregation-enhanced diffusion.
It is complete with tables, graphs and figures, which allow fast determination of suitable growth parameters for practical applications.



فهرست مطالب

Introduction....Pages 1-2
Basics of MBE growth....Pages 3-32
Doping and impurity segregation effects in MBE....Pages 33-57
Influence of strain in the epitaxial film on surface-phase equilibria....Pages 59-69
II–VI materials....Pages 71-73
Conclusion....Pages 75-75




نظرات کاربران