دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: C. Klingshirn (eds.)
سری: Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter
ISBN (شابک) : 9783540633471, 9783540683575
ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg
سال نشر: 2013
تعداد صفحات: 580
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 45 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب رشد و ساختار: فیزیک، عمومی، نوری و مواد الکترونیکی
در صورت تبدیل فایل کتاب Growth and Structuring به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب رشد و ساختار نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
جلد III/34 Landolt-Börnstein دانش کنونی ما را در مورد ساختارهای کوانتومی نیمه هادی خلاصه می کند، موضوعی در فیزیک ماده متراکم کاربردی با اهمیت تکنولوژیکی به طور پیوسته در حال رشد. زیرجلد حاضر 34A رشد و ساختار ساختارهای کوانتومی نیمه هادی را پوشش می دهد. این شامل یک مقدمه کلی، و بحث در مورد رشد و آماده سازی ساختارهای شبه صفر بعدی (نقاط کوانتومی)، ساختارهای شبه یک بعدی (سیم های کوانتومی) و ساختارهای شبه یک بعدی (چاه های کوانتومی) است. موضوعات شامل تکنیکهای رشد مرتبط و مثالهایی برای نیمهرساناهای گروه IV، ترکیبات نیمهرسانای III-V، ترکیبات نیمهرسانای II-VI، ترکیبات نیمهرسانا I-VII و ترکیبات نیمهرسانای IV-VI است.
Volume III/34 of Landolt-Börnstein summarizes our current knowledge of semiconductor quantum structures, a topic in applied condensed matter physics with steadily growing technological importance. The present subvolume 34A covers growth and structuring of semiconductor quantum structures. It contains a general introduction, and discussions of the growth and preparation of quasi-zero-dimensional structures (quantum dots), quasi-one-dimensional structures (quantum wires) and quasi-one-dimensional structures (quantum wells). Topics include relevant growth techniques and examples for group IV semiconductors, III-V semiconductor compounds, II-VI semiconductor compounds, I-VII semiconductor compounds and IV-VI semiconductor compounds.
Front Matter....Pages I-XVII
1 Introduction to semiconductor quantum structures....Pages 1-3
2 Growth of quasi two-dimensional structures....Pages 4-18
3 Growth and preparation of quasi one-dimensional systems....Pages 19-24
4 Growth and preparation of quasi zero-dimensional structures....Pages 25-36
5.1 General remarks on group IV semiconductors and industrial needs....Pages 37-47
5.2 Layer growth by epitaxy....Pages 48-56
5.3 Quasi-two-dimensional systems (quantum wells)....Pages 57-69
5.4 One-dimensional systems (quantum wires)....Pages 70-74
5.5 Zero-dimensional systems (quantum dots)....Pages 75-88
6.1 Growth and preparation of quantum wells on GaAs substrates....Pages 89-95
6.2 Structuring and growth of quantum wires and nano-rods on GaAs....Pages 96-101
6.3 Growth and preparation of quantum dots and nano crystals on GaAs substrates....Pages 102-114
6.4.1 The role of substrates....Pages 115-117
6.4.2 Different growth techniques....Pages 118-119
6.4.3 Group III–nitride quantum wells....Pages 120-122
6.4.4 Group III–nitride based quantum wires....Pages 123-125
6.4.5 Group III–nitride based quantum dots....Pages 126-127
6.4.6 Devices based on group III–nitrides....Pages 128-129
6.5.1 Growth of GaInAs quantum wells on InP substrates....Pages 130-132
6.5.2 Lithographically defined nanowires....Pages 133-134
6.5.3 Growth and fabrication of InGaAsP nanowhiskers on InP and silicon substrates....Pages 135-136
6.5.4 Site-controlled fabrication of nanowhiskers on InP substrate....Pages 137-138
6.5.5 Epitaxial quantum dots grown on InP substrate....Pages 139-143
6.5.6 Growth of InAs quantum dashes....Pages 144-147
6.5.7 Site-selective growth of InAs quantum dots on InP....Pages 148-149
6.6 Growth of quantum wells and quantum dots on GaSb substrates....Pages 150-151
6.6.1 Growth of quantum wells in GaSb-based diode lasers....Pages 152-155
6.6.2 Growth of quantum wells in GaSb-based type-II diode lasers....Pages 156-157
6.6.3 Growth of quantum wells in GaSb-based quantum cascade laser structures....Pages 158-159
6.6.4 Growth of quantum wells in GaSb-based interband cascade lasers....Pages 160-162
6.6.5 Growth of quantum wells in GaSb-based superlattice detectors....Pages 163-166
6.6.6 Growth of quantum dots on GaSb....Pages 167-168
6.7 Growth and preparation of quantum dots and quantum wells on GaP substrates....Pages 169-176
6.8 Properties of III-V materials on Si substrate....Pages 177-181
6.9 Examples of III-V layers and nanostructures with diluted semiconductor materials....Pages 182-192
7 Examples for the growth of nano-structures based on IIB-VI compounds....Pages 193-195
7.1.1 Quantum wells and superlattices containing Hg....Pages 196-200
7.1.2 Quantum wells and superlattices based on CdTe and its alloys....Pages 201-207
7.1.3 Quantum wells and superlattices based on CdSe and its alloys....Pages 208-213
7.1.4 Quantum wells and superlattices based on CdS and its alloys....Pages 214-218
7.1.5 Quantum wells and superlattices based on ZnTe and its alloys....Pages 219-224
7.1.6 Quantum wells and superlattices based on ZnSe and its alloys....Pages 225-234
7.1.7 Quantum wells and superlattices based on ZnS and its alloys....Pages 235-236
7.1.8 Quantum wells and superlattices based on ZnO and its alloys....Pages 237-242
7.1.9 Quantum wells and superlattices containing diluted magnetic semiconductors in barrier and/or well....Pages 243-252
7.2.1 Quantum wires containing Hg....Pages 253-255
7.2.2 Quantum wires and nano rods based on CdTe and its alloys....Pages 256-259
7.2.3 Quantum wires and nano rods based on CdSe and its alloys....Pages 260-264
7.2.4 Quantum wires and nano rods based on CdS and its alloys....Pages 265-271
7.2.5 Quantum wires and nano rods based on ZnTe and its alloys....Pages 272-273
7.2.6 Quantum wires and nano rods based on ZnSe and its alloys....Pages 274-278
7.2.7 Quantum wires and nano rods based on ZnS and its alloys....Pages 279-283
7.2.8 Quantum wires and nano rods based on ZnO and its alloys....Pages 284-298
7.2.9 Quantum wires and nano rods of diluted magnetic semiconductors....Pages 299-303
7.3.1 Quantum dots and nano crystals containing Hg....Pages 304-305
7.3.2 Quantum dots and nano crystals based on CdTe and its alloys....Pages 306-309
7.3.3 Quantum dots and nano crystals based on CdSe and its alloys....Pages 310-317
7.3.4 Quantum dots and nano crystals based on CdS and its alloys....Pages 318-327
7.3.5 Quantum dots and nano crystals based on ZnTe and its alloys....Pages 328-329
7.3.6 Quantum dots and nano crystals based on ZnSe and its alloys....Pages 330-334
7.3.7 Quantum dots and nano crystals based on ZnS and its alloys....Pages 335-338
7.3.8 Quantum dots and nano crystals based on ZnO and its alloys....Pages 339-347
7.3.9 Quantum dots and nano crystals of diluted magnetic semiconductors....Pages 348-351
7.4.1 Self-assembled quantum dots: Introduction....Pages 352-354
7.4.2 CdSe/ZnSe quantum dots....Pages 355-360
7.4.3 CdTe/ZnTe quantum dots....Pages 361-363
7.4.4 Diluted magnetic II-VI quantum dots....Pages 364-366
7.4.5 Other II-VI heterosystems....Pages 367-369
8.1 Examples for I-VII semiconductor compounds: General properties....Pages 370-372
8.2 Quantum-well structures....Pages 373-383
8.3 Quantum dots....Pages 384-414
9.1 IV-VI semiconductors: General properties....Pages 415-421
9.2 Band-gap engineering by alloying....Pages 422-424
9.2.1 Pseudo-binary IV-VI alloys....Pages 425-426
9.2.2 Higher-band-gap alloys....Pages 427-429
9.3.1 Molecular beam epitaxy....Pages 430-434
9.3.2 Other epitaxial growth techniques....Pages 435-436
9.3.3 Substrate materials....Pages 437-438
9.3.4 Growth on BaF2 (111)....Pages 439-442
9.3.5 Growth on IV-VI substrates....Pages 443-445
9.3.6 Growth on KCl and NaCl....Pages 446-447
9.3.7 Growth on silicon....Pages 448-450
9.3.8 Growth on GaAs and CdTe....Pages 451-453
9.3.9 Doping....Pages 454-455
9.4.1 Growth and material systems....Pages 456-461
9.4.2 Structural properties....Pages 462-465
9.4.3 Theoretical description of confined states....Pages 466-472
9.4.4 Spectroscopic investigations of IV-VI quantum-well systems....Pages 473-479
9.4.5 Specific results for different material systems....Pages 480-492
9.4.6 Transport in 2D structures....Pages 493-495
9.5.1 Fabrication: lithography and nanowire growth....Pages 496-497
9.5.2 Transport in 1D structures....Pages 498-500
9.6 Self-assembled Stranski-Krastanow quantum dots....Pages 501-502
9.6.1 Growth of self-assembled lead-salt quantum dots....Pages 503-506
9.6.2 Ordering and stacking in quantum-dot superlattices....Pages 507-513
9.6.3 Ordering mechanisms....Pages 514-520
9.6.4 Optical and electronic properties....Pages 521-523
9.7 Quantum dots by phase separation and nanoprecipitation....Pages 524-526
9.7.1 Structural properties....Pages 527-528
9.7.2 Size control....Pages 529-530
9.7.3 Emission properties....Pages 531-534
9.7.4 Electroluminescence....Pages 535-537
9.8 Optoelectronic device applications....Pages 538-540
9.8.1 Mid-infrared diode lasers....Pages 541-546
9.8.2 Vertical-cavity surface-emitting lasers....Pages 547-552
9.8.3 Vertical-external-cavity surface-emitting lasers....Pages 553-555
9.8.4 Microdisk lasers....Pages 556-557
9.9 Thermoelectric devices....Pages 558-561
10 Conclusion and Outlook....Pages 562-562