دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Growth and Optical Properties of Wide-Gap II–VI Low-Dimensional Semiconductors
دانلود کتاب رشد و خصوصیات نوری نیمه هادی های کم عرض II-VI
مشخصات کتاب
Growth and Optical Properties of Wide-Gap II–VI Low-Dimensional Semiconductors
ویرایش: 1 نویسندگان: R. N. Bhargava (auth.), T. C. McGill, C. M. Sotomayor Torres, W. Gebhardt (eds.) سری: NATO ASI Series 200 ISBN (شابک) : 9781468456639, 9781468456615 ناشر: Springer US سال نشر: 1989 تعداد صفحات: 337 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 12 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 47,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب رشد و خصوصیات نوری نیمه هادی های کم عرض II-VI: فیزیک، عمومی
در صورت تبدیل فایل کتاب Growth and Optical Properties of Wide-Gap II–VI Low-Dimensional Semiconductors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب رشد و خصوصیات نوری نیمه هادی های کم عرض II-VI نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب رشد و خصوصیات نوری نیمه هادی های کم عرض II-VI
این جلد شامل مجموعه مقالات کارگاه تحقیقاتی پیشرفته ناتو در مورد "رشد و ویژگی‌های نوری نیمه‌رساناهای کم‌بعدی با شکاف عریض II-VI" است که از 2 تا 6 اوت 1988 در رگنسبورگ، جمهوری فدرال آلمان برگزار شد. زیر نظر برنامه تبادل علمی بین المللی ناتو. ترکیبات نیمه هادی که از ترکیب یک عنصر از ستون II جدول تناوبی با عنصری از ستون VI (به اصطلاح نیمه هادی های II-VI) تشکیل شده اند، مدت هاست که نوید بسیاری از دستگاه های الکترونیک نوری را داده اند که در ناحیه مرئی طیف کار می کنند. با این حال، این مواد با مشکلات متعددی مواجه شده اند، از جمله: تعداد زیادی نقص و مشکلات در به دست آوردن دوپینگ نوع p و n. پیشرفت در روش های جدید آماده سازی مواد ممکن است کلید بازگشایی وعده های محقق نشده باشد. در طول کارگاه یک جلسه کامل در مورد چشم انداز دستگاه های نیمه هادی II-VI با شکاف گسترده، به ویژه دستگاه های ساطع کننده نور برگزار شد. رشد مواد حجیم با دیدگاه در نظر گرفتن بسترهای II-VI برای تکنیک های همپایی جدید مانند MOCVD، MBE، ALE، MOMBE و ALE-MBE بررسی شد. معرفی کنترل شده ناخالصی ها در طول رشد غیر تعادلی برای کنترل نوع دوپینگ و هدایت مورد تاکید قرار گرفت.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
This volume contains the Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on "Growth and Optical Properties of Wide Gap II-VI Low Dimensional Semiconductors", held from 2 - 6 August 1988 in Regensburg, Federal Republic of Germany, under the auspices of the NATO International Scientific Exchange Programme. Semiconducting compounds formed by combining an element from column II of the periodic table with an element from column VI (so called II-VI Semiconductors) have long promised many optoelectronic devices operating in the visible region of the spectrum. However, these materials have encountered numerous problems including: large number of defects and difficulties in obtaining p- and n-type doping. Advances in new methods of material preparation may hold the key to unlocking the unfulfilled promises. During the workshop a full session was taken up covering the prospects for wide-gap II-VI Semiconductor devices, particularly light emitting ones. The growth of bulk materials was reviewed with the view of considering II-VI substrates for the novel epitaxial techniques such as MOCVD, MBE, ALE, MOMBE and ALE-MBE. The controlled introduction of impurities during non-equilibrium growth to provide control of the doping type and conductivity was emphasized.
فهرست مطالب
Front Matter....Pages i-xi
Optoelectronic Devices from Wide Band Gap II-VI Semiconductors....Pages 1-9
Recent Development Trends in Thin Film Electroluminescent Displays....Pages 11-21
Considerations for Blue-Green Optoelectronics Based on Epitaxial ZnSe/ZnS....Pages 23-27
Blue Electroluminescent Devices Based on Low Resistive p-Type ZnSe....Pages 29-37
Prospects for II-VI Heterojunction Light Emitting Diodes....Pages 39-51
II-VI Heterostructures and Multi-Quantum Wells....Pages 53-65
A Review of the Growth of 3D II-VI Compounds....Pages 67-73
The Growth of Thin Layers by MOCVD of Wide Band Gap II-VI Compounds....Pages 75-85
Optical Studies of ZnXTe(X=Mn,Hg) Alloys....Pages 87-95
Electrical and Structural Properties of Wide Bandgap II-VI Semiconducting Compounds....Pages 97-107
Some Aspects of Impurities in Wide Band Gap II-VI Compounds....Pages 109-118
Conductivity Control of Wide Gap II-VI Compounds....Pages 119-127
Photoassisted Doping of II-VI Semiconductor Films....Pages 129-137
Excitonic Complexes in Wide-Gap II-VI Semiconductors....Pages 139-148
Optical Properties of Bulk II-VI Semiconductors: Effect of Shallow Donor States....Pages 149-166
Review of Nonlinear Optical Processes in Wide Gap II-VI Compounds....Pages 167-181
Optical Nonlinearities, Coherence and Dephasing in Wide Gap II-VI Semiconductors....Pages 183-191
Frequency Dependence of Interband Two-Photon Absorption Mechanisms in ZnO and ZnS....Pages 193-198
II-VI Semiconductor-Doped Glass: Nonlinear Optical Properties and Devices....Pages 199-207
MBE and ALE of II-VI Compounds: Growth Processes and Lattice Strain in Heteroepitaxy....Pages 209-218
Wide Bandgap II-VI Compound Superlattices Prepared by MBE and MOMBE....Pages 219-228
II-VI/III-V Heterointerfaces: Epilayer-On-Epilayer Structures....Pages 229-238
Growth of II-VI/III-V Mixed Heterostructures....Pages 239-243
ZnSe Growth on Non-Polar Substrates by Molecular Beam Epitaxy....Pages 245-256
Atomic Layer Epitaxy of ZnSe/ZnS x Se 1-X Superlattices....Pages 257-261
Growth of II-VI Semimagnetic Semiconductors by Molecular Beam Epitaxy....Pages 263-268
Exciton Self-Trapping in ZnSe/ZnTe Superlattice Structures....Pages 269-279
Resonant Raman Scattering by Lo Phonons in II-VI Compounds and Diluted Magnetic Semiconductors....Pages 281-292
Resonance Raman Scattering in [111]-Oriented CdTe/CdMnTe Superlattices....Pages 293-300
Magneto-Optical Absorption in II-VI Semiconductors: Application to CdTe....Pages 301-309
Optically-Detected Magnetic Resonance of II-VI Compounds....Pages 311-320
Acoustoelectric Characterization of Wide Gap II-VI Semiconductors in the Case of Bipolar Photoconduction....Pages 321-333
Some Physical Properties of AgIns 2 Films Obtained by Spray-Pyrolysis Technique....Pages 335-342
Back Matter....Pages 343-349
نظرات کاربران
کتاب های تصادفی
دانلود کتاب Building Engaged Team Performance: Align Your Processes and People to Achieve Game-Changing Business Results
