ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Growing Graphene on Semiconductors

دانلود کتاب رشد گرافن در نیمه هادی ها

Growing Graphene on Semiconductors

مشخصات کتاب

Growing Graphene on Semiconductors

ویرایش: 1 
نویسندگان: , ,   
سری:  
ISBN (شابک) : 9814774219, 1351736256 
ناشر: Coletti, Camilla, Iacopi, Francesca, Motta, Nunzio, Psychology Pr;Psychology Press 
سال نشر: 2017 
تعداد صفحات: 229 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 11 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 53,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب رشد گرافن در نیمه هادی ها: گرافن، نیمه هادی ها



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 15


در صورت تبدیل فایل کتاب Growing Graphene on Semiconductors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب رشد گرافن در نیمه هادی ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب رشد گرافن در نیمه هادی ها

انتظار می‌رود گرافن، ماده شگفت‌انگیز قرن بیست و یکم، نقش مهمی در کاربردهای نانوالکترونیکی آینده داشته باشد، اما تنها راه برای دستیابی به این هدف، رشد مستقیم گرافن روی یک نیمه‌رسانا و ادغام آن در زنجیره تولید است. مدارها و دستگاه های الکترونیکی

این کتاب خلاصه ای از آخرین دستاوردها در این زمینه، با توجه خاص به گرافیتیزه کردن SiC است. از طریق بازپخت در دمای بالا در یک محیط کنترل‌شده، تجزیه بالاترین لایه‌های SiC، به دست آوردن گرافن شبه ایده‌آل با تصعید Si با تحرک‌های الکترونیکی ثبت‌شده، امکان‌پذیر است، در حالی که رشد انتخابی بر روی ساختارهای طرح‌دار، باز کردن شکاف را با محصور شدن کوانتومی ممکن می‌سازد.

این کتاب با یک فصل مروری در مورد اهمیت و چالش های رشد گرافن در نیمه هادی ها شروع می شود و سپس سه فصل به تجزیه و تحلیل به روز سنتز گرافن اختصاص دارد. در خلاء فوق‌العاده بالا، و با دو فصل به بحث در مورد راه‌های احتمالی برای تنظیم ساختار نوار الکترونیکی گرافن هم‌پایه به‌وسیله میان‌افزایی اتمی و ایجاد شکاف با رشد نانوساختارهای گرافن قالب‌بندی شده، پایان می‌یابد.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Graphene, the wonder material of the 21st century, is expected to play an important role in future nanoelectronic applications, but the only way to achieve this goal is to grow graphene directly on a semiconductor, integrating it in the chain for the production of electronic circuits and devices.

This book summarizes the latest achievements in this field, with particular attention to the graphitization of SiC. Through high-temperature annealing in a controlled environment, it is possible to decompose the topmost SiC layers, obtaining quasi-ideal graphene by Si sublimation with record electronic mobilities, while selective growth on patterned structures makes possible the opening of a gap by quantum confinement.

The book starts with a review chapter on the significance and challenges of graphene growth on semiconductors, followed by three chapters dedicated to an up-to-date analysis of the synthesis of graphene in ultrahigh vacuum, and concludes with two chapters discussing possible ways of tailoring the electronic band structure of epitaxial graphene by atomic intercalation and of creating a gap by the growth of templated graphene nanostructures.



فهرست مطالب

Content: Foreword N.Motta, F.Iacopi, C.ColettiThe significance and challenges of direct growth of graphene on semiconductor surfaces N. Mishra, J. Boeckl, N. Motta and F. IacopiGraphene synthesized on cubic-SiC(001) in ultra-high vacuum: Atomic and electronic structure, transport properties V.Yu. Aristov, O.V. Molodtsova, A.N. ChaikaEpitaxial Graphene from UHV decomposition of 3C-SiC/Si B. Gupta, A. Ouerghi, N.MottaDiffusion and kinetics in epitaxial graphene growth on SiC M.Tomellini, B.Gupta, A.Sgarlata, N.MottaAtomic intercalation at the SiC/graphene interface S. Forti, U. Starke, C. ColettiEpitaxial graphene on SiC: 2D sheets, selective growth and nanoribbons C. Berger, D. Deniz, J. Gigliotti, J. Palmer, J. Hankinson, Y. Hu, J.P Turmaud, R. Puybaret, A. Ougazzaden, A. Sidorov, Z. Jiang, W. A. de Heer




نظرات کاربران