ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Germanium Silicon: Physics and Materials

دانلود کتاب سیلیکون ژرمانیم: فیزیک و مواد

Germanium Silicon: Physics and Materials

مشخصات کتاب

Germanium Silicon: Physics and Materials

دسته بندی: فیزیک ریاضی
ویرایش: 1st 
نویسندگان:   
سری: Semiconductors and Semimetals 56 
ISBN (شابک) : 012752164X, 9780127521640 
ناشر: Elsevier, Academic Press 
سال نشر: 1998 
تعداد صفحات: 459 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 23 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 30,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 14


در صورت تبدیل فایل کتاب Germanium Silicon: Physics and Materials به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب سیلیکون ژرمانیم: فیزیک و مواد نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب سیلیکون ژرمانیم: فیزیک و مواد

از زمان آغاز به کار خود در سال 1966، مجموعه ای از مجلدات شماره گذاری شده به نام نیمه هادی ها و نیمه فلزات از طریق انتخاب دقیق نویسندگان، ویراستاران، و همکاران مشهور خود را متمایز کرده است. مجموعه "ویلاردسون و بیر"، همانطور که به طور گسترده شناخته شده است، موفق به انتشار جلدها و فصل های شاخص متعددی شده است. بسیاری از این مجلدات نه تنها در زمان انتشارشان تأثیر گذاشتند، بلکه سال‌ها پس از انتشار اصلی‌شان همچنان مورد استناد قرار می‌گیرند. اخیراً، پروفسور Eicke R. Weber از دانشگاه کالیفرنیا در برکلی به عنوان یکی از سردبیران این مجموعه پیوست. پروفسور وبر، یک متخصص شناخته شده در زمینه مواد نیمه هادی، بیشتر به ادامه سنت مجموعه در انتشار به موقع، بسیار مرتبط و طولانی مدت کمک خواهد کرد. برخی از مجلدات اخیر، مانند هیدروژن در نیمه هادی ها، عیوب در مواد III/V، ریزساختارهای هم محور، دستگاه های ناهمسان ساختاری با سرعت بالا، اکسیژن در سیلیکون، و دیگران نوید می دهند که این سنت حفظ و حتی گسترش خواهد یافت. از حوزه ای که این مجموعه پوشش می دهد، حجم های نیمه هادی ها و نیمه فلزات مورد توجه فیزیکدانان، شیمیدانان، دانشمندان مواد و مهندسان دستگاه در صنعت مدرن بوده و خواهد بود.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Since its inception in 1966, the series of numbered volumes known as Semiconductors and Semimetals has distinguished itself through the careful selection of well-known authors, editors, and contributors. The "Willardson and Beer" Series, as it is widely known, has succeeded in publishing numerous landmark volumes and chapters. Not only did many of these volumes make an impact at the time of their publication, but they continue to be well-cited years after their original release. Recently, Professor Eicke R. Weber of the University of California at Berkeley joined as a co-editor of the series. Professor Weber, a well-known expert in the field of semiconductor materials, will further contribute to continuing the series' tradition of publishing timely, highly relevant, and long-impacting volumes. Some of the recent volumes, such as Hydrogen in Semiconductors, Imperfections in III/V Materials, Epitaxial Microstructures, High-Speed Heterostructure Devices, Oxygen in Silicon, and others promise that this tradition will be maintained and even expanded.Reflecting the truly interdisciplinary nature of the field that the series covers, the volumes in Semiconductors and Semimetals have been and will continue to be of great interest to physicists, chemists, materials scientists, and device engineers in modern industry.



فهرست مطالب

Content: 
Edited by
Page iii

Copyright page
Page iv

List of Contributors
Page xi

Chapter 1 Growth Techniques and Procedures Original Research Article
Pages 1-48
John C. Bean

Chapter 2 Fundamental Mechanisms of Film Growth Original Research Article
Pages 49-100
Donald E. Savage, Feng Liu, Volkmar Zielasek, Max G. Lagally

Chapter 3 Misfit Strain and Accommodation in SiGe Heterostructures Original Research Article
Pages 101-167
R. Hull

Chapter 4 Fundamental Physics of Strained Layer GeSi: Quo Vadis? Original Research Article
Pages 169-223
M.J. Shaw, M. Jaws

Chapter 5 Optical Properties Original Research Article
Pages 225-292
Fernando Cerdeira

Chapter 6 Electronic Properties and Deep Levels in Germanium-Silicon Original Research Article
Pages 293-346
Steven A. Ringel, Patrick N. Grillot

Chapter 7 Optoelectronics in Silicon and Germanium Silicon Original Research Article
Pages 347-386
Joe C. Campbell

Chapter 8 Si1-yCy and Si1-x-yGexCy Alloy Layers Original Research Article
Pages 387-422
Karl Eberl, Karl Brunner, Oliver G. Schmidt

Index
Pages 423-427





نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی