مشخصات کتاب

Gas Source Molecular Beam Epitaxy: Growth and Properties of Phosphorus Containing III-V Heterostructures

ویرایش: 1 
نویسندگان: Dr. Morton B. Panish,  Dr. Henryk Temkin (auth.)  
سری: Springer Series in Materials Science 26 
ISBN (شابک) : 9783642781292, 9783642781278 
ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg 
سال نشر: 1993 
تعداد صفحات: 440 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 14 مگابایت 

کلمات کلیدی مربوط به کتاب اپیتاکسی پرتو مولکولی منبع گاز: رشد و خواص فسفر حاوی هتروساختارهای III-V: اپتیک، اپتوالکترونیک، پلاسمونیک و دستگاه‌های نوری، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق، سطوح و رابط‌ها، لایه‌های نازک

در صورت تبدیل فایل کتاب Gas Source Molecular Beam Epitaxy: Growth and Properties of Phosphorus Containing III-V Heterostructures به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب اپیتاکسی پرتو مولکولی منبع گاز: رشد و خواص فسفر حاوی هتروساختارهای III-V نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب اپیتاکسی پرتو مولکولی منبع گاز: رشد و خواص فسفر حاوی هتروساختارهای III-V

این کتاب اولین درمان یکپارچه MBE منبع هیبریدی و MBE متالوراگانیک را ارائه می دهد که شامل: توضیحات دقیق دستگاه اپیتاکسی پرتو و استفاده از آن، عملیات ترمودینامیکی و شیمیایی ساده شده هر دو واکنش در منبع پرتو و رشد کریستال، و جزئیات رفتار دوپینگ است. به ویژه توزیع مجدد در طول رشد و دستیابی به سطوح دوپینگ بسیار بالا. اینها برای طراحی و رشد سازه هایی با پروفایل های پیچیده دوپینگ ضروری هستند. از آنجایی که MBE متالورگانیک اجازه رشد انتخابی منطقه را می دهد، آخرین اطلاعات در مورد کاربرد آن در سیستم INP/GaInAs (P) ارائه شده است. فصل‌های مربوط به ویژگی‌های ساختارهای ناهمسان و دستگاه‌ها، استفاده از روش‌های تحلیلی مانند پراش پرتو ایکس با وضوح بالا، طیف‌سنجی جرمی یون ثانویه، چندین روش فوتولومینسن، و استفاده از دستگاه‌های فعال برای ارزیابی مواد را به تفصیل نشان می‌دهند. علاوه بر این، آخرین اطلاعات در مورد پیشرفته ترین دستگاه های نوری InP/GaInAs(p) و ترانزیستورهای دوقطبی رشد یافته با روش های MBE ارائه شده است. تا آنجا که ما اطلاع داریم، این اطلاعات قبلاً در قالب یکپارچه ارائه نشده است. ما انتظار داریم که این کتاب به ویژه برای کارگران در این زمینه و مدیریت آنها که علاقه مند به ارزیابی این روش های MBE برای تحقیق و توسعه دستگاه هستند و برای دانشجویان رشته های مختلف که به رشد حالت جامد کمک می کنند مفید باشد. الکترونیک برای دومی، به شکل بسیار واضح، مقدمه‌ای برای موضوعات مختلف ارائه می‌کند. ما بر سیستم InP/GaInAs(P) تاکید کرده‌ایم زیرا نیاز به ساختارهای دقیق در این سیستم نیروی محرکه اولیه برای توسعه روش‌های جایگزین MBE بود، و از آنجایی که یکی از اهمیت روزافزون، حیاتی برای سیستم‌های ارتباطی نوری است. پتانسیل برای وسایل الکترونیکی با سرعت فوق العاده در آینده و سایر برنامه های کاربردی بالقوه. int.opt.ele.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The book presents the first unified treatment of Hybride source MBE and Metaloraganic MBE that includes: detailed descriptions of the beam epitaxy apparatus and its use, simplified thermodynamic and chemical treatments of both reactions in the beam source and the crystal growth, and details of doping behavior, particularly redistribution during growth, and the achievement of very high doping levels. These are essential for design and growth of structures with complex doping profiles. Since Metalorganic MBE permits selective area growth, the latest information on its application to the INP/GaInAs(P) system is presented. The chapters on the properties of the heterostructures and devices illustrate in detail the use of such analytical methods as high resolution x-ray diffraction, secondary ion mass spectroscopy, several photoluminescene methods, and the use of active devices for materials evaluation. In addition, the latest information on state-of-the-art InP/GaInAs(p) optoelectronic devices and bipolar transistors grown by MBE methods is presented. As far as we are aware, this information has not previously been presented in a unified format. We expect that this book will be particulary useful to workers in the field, and their management, that are interested in evaluating these MBE methods for reserach and for device development, and to students from the variety of fields that contribute to the growth of solid state electronics. For the latter it presents, in very clear form, introductions to a variety of topics. We have emphasized the InP/GaInAs(P) system because the need for precision structures in this system was the primary driving force for the development of alternate MBE methods, and because it is one of rising importance, vital to optical communications systems, of great potential for future ultra-highspeed electronics, and with other potential appl.s.a. int.opt.ele.

فهرست مطالب

Front Matter....Pages I-XIV
Introduction....Pages 1-13
Chemistry....Pages 14-54
The Generation of Atomic and Molecular Beams for Elemental and Gas Source Molecular Beam Epitaxy....Pages 55-77
Molecular Beam Epitaxy Systems and Procedures....Pages 78-117
Doping During GSMBE....Pages 118-172
Characterization of Heterostructures by High Resolution X-ray Diffraction....Pages 173-199
Optical Properties of Quantum Wells....Pages 200-250
Carrier Transport Across Quantum Wells and Superlattices....Pages 251-278
Bipolar Transistors....Pages 279-321
Optoelectronic Devices....Pages 322-359
In-Situ Processing and Selective Area Epitaxy....Pages 360-398
Back Matter....Pages 399-428

نظرات کاربران

کتاب های تصادفی

دانلود کتاب 13 Stolen Girls: A Layla Remington Mystery

دانلود کتاب Hegels Phänomenologie des Geistes. Ein dialogischer Kommentar. Band 1: Gewissheit und Vernunft/Band 2: Geist und Religion

دانلود کتاب Modelling morphological response of large tidal inlet systems to sea level rise

دانلود کتاب Орысша-қазақша топырақтану түсіндірме сөздігі. Русско-казахский словарь почвоведческих терминов

دانلود کتاب The Aid Trap: Hard Truths About Ending Poverty