دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش:
نویسندگان: R F Davis. M. S. Shur
سری:
ISBN (شابک) : 9812388443, 9789812562364
ناشر:
سال نشر: 2004
تعداد صفحات: 300
[295]
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 20 Mb
در صورت تبدیل فایل کتاب Gan-based Materials And Devices: Growth, Fabrication, Characterization & Performance (Selected Topics in Electronics and Systems, Vol. 33) به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مواد و دستگاههای مبتنی بر Gan: رشد ، ساخت ، خصوصیات و عملکرد (عناوین برگزیده در الکترونیک و سیستم ها ، جلد 33) نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
خواص منحصر به فرد مواد نیمه هادی های مبتنی بر GaN علاقه زیادی به تحقیق و توسعه در مورد رشد مواد نیترید و دستگاه های الکترونیکی نوری و الکترونیکی مبتنی بر نیترید را برانگیخته است. تحرک الکترون بالا و سرعت اشباع، غلظت بالای حامل ورق در رابط های ناهمگون، میدان شکست بالا، و امپدانس حرارتی پایین فیلم های مبتنی بر GaN که روی لایه های SiC یا AIN حجیم رشد می کنند، دستگاه های الکترونیکی مبتنی بر نیترید را بسیار امیدوارکننده می کند. بی اثری شیمیایی نیتریدها یکی دیگر از ویژگی های کلیدی است. این جلد که توسط متخصصان جنبههای مختلف فناوری نیترید نوشته شده است، به طیف وسیعی از مسائل مربوط به مواد و دستگاههای نیترید میپردازد و برای فنآوران، دانشمندان، مهندسان و دانشجویان فارغالتحصیل که روی مواد و دستگاههای باندگپ گسترده کار میکنند مفید خواهد بود. . این کتاب همچنین می تواند به عنوان متن تکمیلی برای دوره های تحصیلات تکمیلی در مورد فناوری نیمه هادی باندگپ گسترده استفاده شود.
The unique materials properties of GaN-based semiconductors have stimulated a great deal of interest in research and development regarding nitride materials growth and optoelectronic and nitride-based electronic devices. High electron mobility and saturation velocity, high sheet carrier concentration at heterojunction interfaces, high breakdown field, and low thermal impedance of GaN-based films grown over SiC or bulk AIN substrates make nitride-based electronic devices very promising. The chemical inertness of nitrides is another key property. This volume, written by experts on different aspects of nitride technology, addresses the entire spectrum of issues related to nitride materials and devices, and it will be useful for technologists, scientists, engineers, and graduate students who are working on wide bandgap materials and devices. The book can also be used as a supplementary text for graduate courses on wide bandgap semiconductor technology.