مشخصات کتاب

Gallium nitride power devices

ویرایش: 1 
نویسندگان: Hongyu Yu. Tianli Duan  
سری:  
ISBN (شابک) : 9781315196626, 1351767607 
ناشر: Pan Stanford Publishing 
سال نشر: 2017 
تعداد صفحات: 308 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 17 مگابایت 

کلمات کلیدی مربوط به کتاب دستگاه های قدرت نیترید گالیم: الکترونیک قدرت، نیترید گالیم -- خواص الکتریکی، نیمه هادی ها، فن آوری و مهندسی / مکانیک

در صورت تبدیل فایل کتاب Gallium nitride power devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب دستگاه های قدرت نیترید گالیم نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب دستگاه های قدرت نیترید گالیم



GaN به دلیل خواص مواد منحصر به فردش، به عنوان مثال، فاصله باند، میدان شکست زیاد و تحرک بالای الکترون، امیدوار کننده ترین ماده در کاربردهای دستگاه های قدرت نسل بعدی در نظر گرفته می شود. بنابراین، فناوری‌های دستگاه قدرت GaN به عنوان اولویت اصلی برای توسعه در بسیاری از کشورها، از جمله ایالات متحده، اتحادیه اروپا، ژاپن و چین فهرست شده‌اند.

این کتاب ارائه می‌کند. مروری جامع بر فناوری های دستگاه قدرت GaN، به عنوان مثال، رشد مواد، تجزیه و تحلیل خواص، طراحی ساختار دستگاه، فرآیند ساخت، قابلیت اطمینان، تجزیه و تحلیل شکست، و بسته بندی. اطلاعات مفیدی را هم برای دانشجویان و هم برای محققین در صنایع دانشگاهی و مرتبط که بر روی دستگاه های برق GaN کار می کنند، ارائه می دهد.

فناوری رشد ویفر GaN از Enkris Semiconductor است که در حال حاضر یکی از بازیگران پیشرو در ویفرهای تجاری GaN است. فصل های 3 و 7، در مورد فرآیند ساخت ترانزیستور GaN و دستگاه های قدرت عمودی GaN، توسط دکتر Zhihong Liu، که بیش از ده سال بر روی دستگاه های GaN کار کرده است، ویرایش شده است. فصل‌های 2 و 5، در مورد ویژگی‌های اثرات پلاریزاسیون و نمایش اصلی ترانزیستورهای اثر میدانی ناهمگونی AlGaN/GaN، توسط محققان دانشگاه جنوب غربی جیائوتنگ نوشته شده‌اند. فصل‌های 6، 8 و 9، در مورد فن‌آوری‌های غیرفعال‌سازی سطح، قابلیت اطمینان و بسته‌بندی، توسط گروهی از محققان دانشگاه علوم و فناوری جنوبی چین ویرایش شده‌اند.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

GaN is considered the most promising material candidate in next-generation power device applications, owing to its unique material properties, for example, bandgap, high breakdown field, and high electron mobility. Therefore, GaN power device technologies are listed as the top priority to be developed in many countries, including the United States, the European Union, Japan, and China.

This book presents a comprehensive overview of GaN power device technologies, for example, material growth, property analysis, device structure design, fabrication process, reliability, failure analysis, and packaging. It provides useful information to both students and researchers in academic and related industries working on GaN power devices.

GaN wafer growth technology is from Enkris Semiconductor, currently one of the leading players in commercial GaN wafers. Chapters 3 and 7, on the GaN transistor fabrication process and GaN vertical power devices, are edited by Dr. Zhihong Liu, who has been working on GaN devices for more than ten years. Chapters 2 and 5, on the characteristics of polarization effects and the original demonstration of AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors, are written by researchers from Southwest Jiaotong University. Chapters 6, 8, and 9, on surface passivation, reliability, and package technologies, are edited by a group of researchers from the Southern University of Science and Technology of China.

فهرست مطالب

Content: Cover Page
 Halftitle Page
 Title Page
 Copyright Page
 Contents
 Preface
 1. The Growth Technology of High-Voltage GaN on Silicon
 1.1 Introduction
 1.2. The Nucleation Layer Growth
 1.3. Stress Engineering
 1.3.1 The LT-Al(Ga)N Interlayer
 1.3.2 The AlGaN Buffer Layer
 1.3.3 Al(Ga)N/GaN SLs
 1.4. Leakage Reduction and Breakdown Voltage Enhancement
 1.4.1 Compensational Doping
 1.4.2 Other Methods
 1.5. Conclusions
 2. The Characteristics of Polarization Effects in GaN Heterostructures
 2.1. Introduction
 2.2. The ab initio Theory in III-V Semiconductors
 2.2.1 Spontaneous Polarization 2.2.2 Piezoelectric Polarization2.2.3 The Analytical Model of a 2DEG at the AlGaN/GaN Interface
 2.3. Polarization Effects Discussion
 3. GaN Transistor Fabrication Process
 3.1. Device Isolation
 3.1.1 Wet Etch
 3.1.2 Dry Etch
 3.1.3 Implantation Isolation
 3.2. Ohmic Contacts
 3.2.1 The Ti/Al/X/Au Metal Scheme
 3.2.2 CMOS-Compatible Ohmic Contacts
 3.3. Gate Fabrication
 3.3.1 Schottky Gate
 3.3.2 Metal-Insulator-Semiconductor Gate
 3.4. Surface Passivation
 3.5. Field Plates
 4. Conventional AlGaN/GaN Heterojunction Field-Effect Transistors
 4.1. Introduction 4.2. Polarization and Generation of a 2DEG4.2.1 Polarization
 4.2.2 Generation of a 2DEG
 4.3. GaN HEMT Operation Principle
 4.4. Breakdown for an AlGaN/GaN HEMT
 4.4.1 Gate Electric Field Plate
 4.4.2 Source Electric Field Plate
 4.4.3 Air Bridge Field Plate
 5. Original Demonstration of Depletion-Mode and Enhancement-Mode AlGaN/GaN Heterojunction Field-Effect Transistors
 5.1. Introduction
 5.2. Development of E-Mode AlGaN/GaN HFETs
 5.2.1 E-Mode HFET with a P-Type Cap Layer
 5.2.2 E-Mode HFET with a Recessed-Barrier Layer
 5.2.3 E-Mode HFET with a Double-Barrier Layer 5.2.4 Metal-Insulator-Semiconductor HFET5.2.5 N-Polar GaN-Based E-Mode HFETs
 5.2.6 E-Mode HEMTs by Fluoride-Based Plasma Treatment
 5.2.7 GaN-Based MOSFETs and AlGaN/GaN MOS-HFETs
 5.2.8 Other Types of E-Mode HFETs
 5.3. Charge Control Models
 5.3.1 CCM in a Heterojunction with a Single Barrier
 5.3.2 CCM in a Heterojunction with Double Barriers
 5.3.3 CCM in a Heterojunction with Multibarriers
 5.4. Reliability of the Threshold Voltage
 5.4.1 Traps Exist in III-N Barrier Layers
 5.4.2 Fixed Charges Exist at the Dielectric/III-N Heterointerface or in the Dielectric 5.4.3 Dynamic Recovery of the Threshold Voltage Shift by Trapping Speed5.4.4 Lattice-Mismatch-Induced Reduction of Strain or Stress
 6. Surface Passivation and GaN MIS-HEMTs
 6.1. Introduction
 6.2. Surface Passivation
 6.3. Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors
 6.3.1 Characteristics of Various Gate Dielectrics
 6.3.2 Atomic Layer Deposition of Al2O3
 6.3.3 Characterization of the Interface Traps by Traditional C-V Measurement
 6.3.4 Other Approaches to Measure the the Interface Trap Density
 6.3.4.1 Hysteresis method
 6.3.4.2 Subthreshold swing method

نظرات کاربران

کتاب های تصادفی

دانلود کتاب A Synopsis of Biology

دانلود کتاب Fundamental Nursing Skills

دانلود کتاب Maurice: A Novel

دانلود کتاب Semantic Knowledge Management: Integrating Ontology Management, Knowledge Discovery, and Human Language Technologies

دانلود کتاب Keine Angst vor der Globalisierung. Wohlstand und Arbeit fur alle