دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion
دانلود کتاب فرکانس بالا و تبدیل توان با راندمان بالا با فعال کردن نیترید گالیوم
مشخصات کتاب
Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion
ویرایش: 1st ed. نویسندگان: Gaudenzio Meneghesso, Matteo Meneghini, Enrico Zanoni سری: Integrated Circuits and Systems ISBN (شابک) : 9783319779935, 9783319779942 ناشر: Springer International Publishing سال نشر: 2018 تعداد صفحات: 242 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 13 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 31,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب فرکانس بالا و تبدیل توان با راندمان بالا با فعال کردن نیترید گالیوم: مهندسی، مدارها و سیستم ها، مدارها و دستگاه های الکترونیکی، مواد نوری و الکترونیکی
در صورت تبدیل فایل کتاب Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب فرکانس بالا و تبدیل توان با راندمان بالا با فعال کردن نیترید گالیوم نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب فرکانس بالا و تبدیل توان با راندمان بالا با فعال کردن نیترید گالیوم
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
This book demonstrates to readers why Gallium Nitride (GaN) transistors have a superior performance as compared to the already mature Silicon technology. The new GaN-based transistors here described enable both high frequency and high efficiency power conversion, leading to smaller and more efficient power systems. Coverage includes i) GaN substrates and device physics; ii) innovative GaN -transistors structure (lateral and vertical); iii) reliability and robustness of GaN-power transistors; iv) impact of parasitic on GaN based power conversion, v) new power converter architectures and vi) GaN in switched mode power conversion.
- Provides single-source reference to Gallium Nitride
(GaN)-based technologies, from the material level to circuit
level, both for power conversions architectures and switched
mode power amplifiers;
- Demonstrates how GaN is a superior technology for
switching devices, enabling both high frequency, high
efficiency and lower cost power conversion;
- Enables design of smaller, cheaper and more efficient
power supplies.
فهرست مطالب
Front Matter ....Pages i-xiii
Taking the Next Step in GaN: Bulk GaN Substrates and GaN-on-Si Epitaxy for Electronics (Joff Derluyn, Marianne Germain, Elke Meissner)....Pages 1-28
Lateral GaN HEMT Structures (Chang Soo Suh)....Pages 29-49
Vertical GaN Transistors for Power Electronics (Srabanti Chowdhury, Dong Ji)....Pages 51-74
Reliability of GaN-Based Power Devices (Gaudenzio Meneghesso, Enrico Zanoni, Matteo Meneghini, Maria Ruzzarin, Isabella Rossetto)....Pages 75-99
Validating GaN Robustness (Kenichiro Tanaka, Ayanori Ikoshi, Tetsuzo Ueda)....Pages 101-122
Impact of Parasitics on GaN-Based Power Conversion (Johan T. Strydom)....Pages 123-152
GaN in AC/DC Power Converters (Fred Wang, Bo Liu)....Pages 153-180
GaN in Switched-Mode Power Amplifiers (David J. Perreault, Charles R. Sullivan, Juan M. Rivas)....Pages 181-223
Back Matter ....Pages 225-232
