Gallium Arsenide Digital Circuits

فناوری آرسنید گالیوم به مرحله رشد رسیده است. مدارهای مجتمع GaAs امروزه به صورت آرایه گیت با سرعت عملیاتی بیش از یک گیگابیت در ثانیه در دسترس هستند. مدارهای GaAs با هدف ویژه در سیستم های ارتباطی دیجیتال فیبر نوری به منظور بازسازی، چندگانه سازی و سوئیچینگ سیگنال های نوری استفاده می شوند. با پیشرفت در تکنیک‌های ساخت و بسته‌بندی، سرعت عملیات بیشتر افزایش می‌یابد و هزینه تولید به نقطه‌ای می‌رسد که استفاده در مقیاس بزرگ از مدارهای GaAs در این سیستم‌ها و سایر سیستم‌ها که سرعت در آنها اهمیت دارد، مقرون به صرفه باشد. این کتاب برای دانشجویان و مهندسانی نوشته شده است که می خواهند برای اولین بار وارد این حوزه جدید الکترونیک شوند و می خواهند مطالعه جدی در مورد موضوع طراحی مدار GaAs را آغاز کنند. هیچ دانش قبلی در مورد فن آوری GaAs فرض نمی شود، اگرچه برخی از تجربه های قبلی با طراحی مدار MOS مفید خواهد بود. بخش خوبی از کتاب به تجزیه و تحلیل مدار اختصاص داده شده است، تا جایی که برای مدارهای غیر خطی امکان پذیر است. مدل مدار ترانزیستور GaAs از اصول اولیه و فرمول های تحلیلی مفید در پیش بینی عملکرد تقریبی مدار mate نیز مشتق شده است. شبیه سازی کامپیوتری در سراسر کتاب برای نشان دادن عملکرد مورد انتظار و مطالعه اثرات تغییرات پارامترها استفاده شده است.

Gallium Arsenide technology has come of age. GaAs integrated circuits are available today as gate arrays with an operating speed in excess of one Gigabits per second. Special purpose GaAs circuits are used in optical fiber digital communications systems for the purpose of regeneration, multiplexing and switching of the optical signals. As advances in fabrication and packaging techniques are made, the operat­ ing speed will further increase and the cost of production will reach a point where large scale application of GaAs circuits will be economical in these and other systems where speed is paramount. This book is written for students and engineers who wish to enter into this new field of electronics for the first time and who wish to embark on a serious study of the subject of GaAs circuit design. No prior knowledge of GaAs technology is assumed though some previous experience with MOS circuit design will be helpful. A good part of the book is devoted to circuit analysis, to the extent that is possible for non­ linear circuits. The circuit model of the GaAs transistor is derived from first principles and analytic formulas useful in predicting the approxi­ mate circuit performance are also derived. Computer simulation is used throughout the book to show the expected performance and to study the effects of parameter variations.