ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب GaAs Devices and Circuits

دانلود کتاب دستگاه ها و مدارهای GaAs

GaAs Devices and Circuits

مشخصات کتاب

GaAs Devices and Circuits

ویرایش: 1 
نویسندگان:   
سری: Microdevices 
ISBN (شابک) : 9781489919915, 9781489919892 
ناشر: Springer US 
سال نشر: 1987 
تعداد صفحات: 677 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 22 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 31,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب دستگاه ها و مدارهای GaAs: مهندسی برق، نوری و مواد الکترونیکی



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 16


در صورت تبدیل فایل کتاب GaAs Devices and Circuits به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب دستگاه ها و مدارهای GaAs نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب دستگاه ها و مدارهای GaAs



دستگاه‌های GaAs و مدارهای مجتمع به‌عنوان رقبای اصلی برای برنامه‌های با سرعت فوق‌العاده ظاهر شده‌اند. این کتاب در نظر گرفته شده است که مرجعی برای یک جامعه به سرعت در حال رشد GaAs از محققان و دانشجویان فارغ التحصیل باشد. این در طول چندین سال نوشته شد و بخش‌هایی از آن برای دوره‌های مربوط به دستگاه‌های GaAs و مدارهای مجتمع و در مورد دستگاه‌های GaAs ناهمگون که در دانشگاه مینه‌سوتا توسعه یافته و تدریس می‌شوند، استفاده شد. افراد زیادی در نوشتن این کتاب به من کمک کردند. مایلم از پروفسور لستر ایستمن از دانشگاه کرنل تشکر کنم که ایده ها و افکار او الهام بخش من بود و به تعیین مسیر کار تحقیقاتی من برای سال ها کمک کرد. همچنین از گفتگوهای متعدد با شاگردان و همکارانش و از فضای تعالی طلبی که در گروه او وجود دارد، بهره بردم. جا دارد از همکاران و همکاران سابق و فعلی خود - دکتر . لوینشتاین و گلمونت از مؤسسه فیزیک و فناوری A. F. Ioffe، پروفسور ملوین شاو از دانشگاه ایالتی وین، دکتر کاستالسکی از ارتباطات بل، پروفسور گری رابینسون از دانشگاه ایالتی کلرادو، پروفسور تونی والویز، و دکتر تیم دراموند از آزمایشگاه های Sandia- برای مشارکت آنها در تحقیقات مشترک ما و برای بحث های ارزشمند. تشکر ویژه از پروفسور مورکو؛ برای کمک، ایده‌هایش و الگوی کار پیشگامانه‌اش. از سال 1978 من با مهندسان شرکت Honeywell, Inc.-Drs.

کار کرده ام

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

GaAs devices and integrated circuits have emerged as leading contenders for ultra-high-speed applications. This book is intended to be a reference for a rapidly growing GaAs community of researchers and graduate students. It was written over several years and parts of it were used for courses on GaAs devices and integrated circuits and on heterojunction GaAs devices developed and taught at the University of Minnesota. Many people helped me in writing this book. I would like to express my deep gratitude to Professor Lester Eastman of Cornell University, whose ideas and thoughts inspired me and helped to determine the direction of my research work for many years. I also benefited from numerous discussions with his students and associates and from the very atmosphere of the pursuit of excellence which exists in his group. I would like to thank my former and present co-workers and colleagues-Drs. Levinstein and Gelmont of the A. F. Ioffe Institute of Physics and Technology, Professor Melvin Shaw of Wayne State University, Dr. Kastalsky of Bell Communi­ cations, Professor Gary Robinson of Colorado State University, Professor Tony Valois, and Dr. Tim Drummond of Sandia Labs-for their contributions to our joint research and for valuable discussions. My special thanks to Professor Morko.;, for his help, his ideas, and the example set by his pioneering work. Since 1978 I have been working with engineers from Honeywell, Inc.-Drs.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-xiv
Chemical Bonds and Crystal Structure....Pages 1-10
Band Structure and Transport Properties....Pages 11-103
GaAs Technology....Pages 105-172
Ridley-Watkins-Hilsum-Gunn Effect....Pages 173-250
Transferred Electron Oscillators....Pages 251-275
Transferred Electron Amplifiers and Logic and Functional Devices....Pages 277-300
GaAs FETs: Device Physics and Modeling....Pages 301-390
GaAs FET Amplifiers and Microwave Monolithic Integrated Circuits....Pages 391-429
GaAs Digital Integrated Circuits....Pages 431-511
Modulation Doped Field Effect Transistors....Pages 513-610
Novel GaAs Devices....Pages 611-651
New Developments and Recent References....Pages 653-654
Back Matter....Pages 655-670




نظرات کاربران