دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: فن آوری ویرایش: 3 نویسندگان: Manijeh Razeghi (auth.) سری: ISBN (شابک) : 0387921672 ناشر: Springer US سال نشر: 2009 تعداد صفحات: 765 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 8 مگابایت
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
کلمات کلیدی مربوط به کتاب مبانی مهندسی حالت جامد: است
در صورت تبدیل فایل کتاب Fundamentals of Solid State Engineering به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مبانی مهندسی حالت جامد نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
مبانی مهندسی حالت جامد، ویرایش سوم، مقدمه ای چند رشته ای برای مهندسی حالت جامد، با ترکیب مفاهیمی از فیزیک، شیمی، مهندسی برق، علم مواد و مهندسی مکانیک.
این ویرایش سوم که در سرتاسر بازنگری شده است، علاوه بر روش جرم مؤثر کین، موضوعات جدیدی مانند برهمکنشهای الکترون-الکترون و الکترون-فونون را شامل میشود. فصلی که به مکانیک کوانتومی اختصاص دارد برای پوشش موضوعاتی مانند نوسانگر هارمونیک، اتم هیدروژن، توصیف مکانیک کوانتومی تکانه زاویه ای و منشا اسپین گسترش یافته است. این کتاب درسی همچنین دارای یک توصیف بهبود یافته تئوری حمل و نقل است که اکنون فراتر از نظریه درود است و رویکرد بولتزمن را مورد بحث قرار می دهد.
این کتاب درسی با معرفی دانش آموزان با روش مکانیکی کوانتومی دقیق در مورد تفکر و فرمول بندی فرآیندهای حمل و نقل، اصول اولیه را ارائه می دهد. مفاهیم فیزیک و درمان کامل فناوری خصوصیات نیمه هادی، طراحی شده برای مهندسین حالت جامد.
Fundamentals of Solid State Engineering, 3rd Edition, provides a multi-disciplinary introduction to solid state engineering, combining concepts from physics, chemistry, electrical engineering, materials science and mechanical engineering.
Revised throughout, this third edition includes new topics such as electron-electron and electron-phonon interactions, in addition to the Kane effective mass method. A chapter devoted to quantum mechanics has been expanded to cover topics such as the harmonic oscillator, the hydrogen atom, the quantum mechanical description of angular momentum and the origin of spin. This textbook also features an improved transport theory description, which now goes beyond Drude theory, discussing the Boltzmann approach.
Introducing students to the rigorous quantum mechanical way of thinking about and formulating transport processes, this textbook presents the basic physics concepts and thorough treatment of semiconductor characterization technology, designed for solid state engineers.
Front Matter....Pages 1-25
Crystalline Properties of Solids....Pages 1-43
Electronic Structure of Atoms....Pages 1-34
Introduction to Quantum Mechanics....Pages 1-78
Electrons and Energy Band Structures in Crystals....Pages 1-55
Phonons....Pages 1-32
Thermal Properties of Crystals....Pages 1-29
Equilibrium Charge Carrier Statistics in Semiconductors....Pages 1-31
Non-Equilibrium Electrical Properties of Semiconductors....Pages 1-55
Semiconductor p-n and Metal-Semiconductor Junctions....Pages 1-56
Optical Properties of Semiconductors....Pages 1-53
Electron-Electron Interactions: Screening....Pages 1-15
Semiconductor Heterostructures and Low-Dimensional Quantum Structures....Pages 1-49
Quantum Transport....Pages 1-41
Electron Phonon Interactions....Pages 1-10
Compound Semiconductors and Crystal Growth Tec....Pages 1-51
Semiconductor Characterization Techniques....Pages 1-29
Defects....Pages 1-21
Back Matter....Pages 1-57