Fundamentals of Silicon Carbide Technology. Growth, Characteriztion, Devices, and Applications

دسته بندی: الکترونیک
ویرایش:  
نویسندگان: Kimoto T.,  Cooper J.A.  
سری:  
 
ناشر:  
سال نشر:  
تعداد صفحات: 555 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 9 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 38,000

Wiley-IEEE Press, 2014. — 400 p. معرفی جامع و مرجع به روز به دستگاه های نیمه هادی قدرت SiC که موضوعاتی از خواص مواد تا کاربردها را پوشش می دهد. div class=\"bb-sep\">بر اساس تعدادی از پیشرفت‌ها در علم مواد و فناوری ساخت SiC در دهه‌های 1980 و 1990، اولین دیودهای مانع SiC Schottky (SBDs) به عنوان محصولات تجاری در سال 2001 عرضه شدند. بازار SiC SBD از آن زمان به طور قابل توجهی رشد کرده است، و SBD ها در حال حاضر در انواع سیستم های قدرت، به ویژه منابع تغذیه حالت سوئیچ و کنترل های موتور استفاده می شوند. ماسفت های قدرت SiC در سال 2011 وارد تولید تجاری شدند و سوئیچ های ناهموار و با راندمان بالا را برای سیستم های قدرت فرکانس بالا ارائه کردند. در این کتاب گسترده، نویسندگان از تجربیات قابل توجه خود استفاده می کنند تا هم مقدمه ای بر مواد، دستگاه ها و برنامه های SiC و هم مرجعی عمیق برای دانشمندان و مهندسان شاغل در این زمینه در حال حرکت ارائه کنند. اصول فناوری کاربید سیلیکون ویژگی های اولیه مواد SiC، فناوری پردازش، تئوری و تجزیه و تحلیل دستگاه های عملی و مروری بر مهمترین برنامه های سیستمی را پوشش می دهد. مقدمه < br/>خواص فیزیکی کاربید سیلیکون
رشد انبوه کاربید سیلیکون
رشد همپایی کاربید سیلیکون
تکنیک های مشخص کردن و نقص در کاربید سیلیکون
پردازش دستگاه کاربید سیلیکون
دیودهای قدرت تک قطبی و دوقطبی
دستگاه های سوئیچینگ برق تک قطبی
دستگاه های سوئیچینگ برق دوقطبی
بهینه سازی و مقایسه دستگاه های برق
کاربردهای دستگاه های کاربید سیلیکون در سیستم های قدرت
کاربید سیلیکون تخصصی دستگاه ها و برنامه های کاربردی

Wiley-IEEE Press, 2014. — 400 p. A comprehensive introduction and up-to-date reference to SiC power semiconductor devices covering topics from material properties to applications Based on a number of breakthroughs in SiC material science and fabrication technology in the 1980s and 1990s, the first SiC Schottky barrier diodes (SBDs) were released as commercial products in 2001. The SiC SBD market has grown significantly since that time, and SBDs are now used in a variety of power systems, particularly switch-mode power supplies and motor controls. SiC power MOSFETs entered commercial production in 2011, providing rugged, high-efficiency switches for high-frequency power systems. In this wide-ranging book, the authors draw on their considerable experience to present both an introduction to SiC materials, devices, and applications and an in-depth reference for scientists and engineers working in this fast-moving field. Fundamentals of Silicon Carbide Technology covers basic properties of SiC materials, processing technology, theory and analysis of practical devices, and an overview of the most important systems applications. Introduction
Physical Properties of Silicon Carbide
Bulk Growth of Silicon Carbide
Epitaxial Growth of Silicon Carbide
Characterization Techniques and Defects in Silicon Carbide
Device Processing of Silicon Carbide
Unipolar and Bipolar Power Diodes
Unipolar Power Switching Devices
Bipolar Power Switching Devices
Optimization and Comparison of Power Devices
Applications of Silicon Carbide Devices in Power Systems
Specialized Silicon Carbide Devices and Applications