مشخصات کتاب

Fundamentals of power semiconductor devices

ویرایش: 2nd edition 
نویسندگان: Baliga. B. Jayant  
سری:  
ISBN (شابک) : 9783319939872, 9783319939896 
ناشر: Springer 
سال نشر: 2019 
تعداد صفحات: 1114 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 59 مگابایت 

کلمات کلیدی مربوط به کتاب مبانی دستگاه های نیمه هادی قدرت: مدارها و قطعات، مدارها و سیستم‌ها، مدارها و دستگاه‌های الکترونیکی، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق، مهندسی الکترونیک، نیمه هادی‌های قدرت، فناوری و مهندسی--Electronics--Circuits--General-Technology-Electronics ,تکنولوژی و مهندسی -- الکترونیک -- مدارها -- عمومی ، فناوری و مهندسی -- الکترونیک -- عمومی

در صورت تبدیل فایل کتاب Fundamentals of power semiconductor devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب مبانی دستگاه های نیمه هادی قدرت نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب مبانی دستگاه های نیمه هادی قدرت

مقدمه -- خواص مواد و فیزیک حمل و نقل -- ولتاژ شکست -- یکسو کننده های شاتکی -- یکسو کننده های P-i-N -- ماسفت های قدرت -- ترانزیستورهای اتصال دوقطبی -- تریستورها -- تریستورهای دوقطبی دروازه ایزوله -- خلاصه داستان. بررسی فیزیک دستگاه های نیمه هادی قدرت که معمولاً توسط صنعت الکترونیک قدرت استفاده می شود. نویسنده با تکیه بر دهه‌ها تجربه صنعت و تدریس و با استفاده از مثال‌های متعدد و کاربردهای گویا، ویژگی‌های مختلف عملکرد دستگاه را به تفصیل مورد بحث قرار می‌دهد که به مهندسان مجرب اجازه می‌دهد محصولاتی با انرژی کارآمد تولید کنند. پوشش شامل انواع یکسو کننده ها و ترانزیستورهای قدرت است و مدل های تحلیلی برای توضیح عملکرد تمام دستگاه های نیمه هادی قدرت در هر بخش از کتاب توسعه و نشان داده شده است. در سراسر کتاب، تاکید بر استخراج عبارات تحلیلی ساده است که فیزیک اساسی را توصیف می کند و نمایش ویژگی های الکتریکی دستگاه را امکان پذیر می کند. این روش برای آموزش یک دوره در مورد دستگاه های قدرت بسیار ارزشمند است زیرا اجازه می دهد تا اصول و مفاهیم عملیاتی با تجزیه و تحلیل کمی منتقل شود. این درمان بر روی دستگاه های سیلیکونی متمرکز است، اما شامل ویژگی های منحصر به فرد و الزامات طراحی برای دستگاه های کاربید سیلیکون در حال ظهور است. این نسخه جدید همچنین شامل فصلی در مورد تأثیر دستگاه های نیمه هادی قدرت بر صرفه جویی در انرژی و کاهش انتشار کربن است. ارائه کتاب درسی جامع برای دروس فیزیک دستگاه های نیمه هادی قدرت. شامل فرمول های تحلیلی گسترده برای طراحی و تجزیه و تحلیل سازه های دستگاه. از مثال‌های شبیه‌سازی عددی در هر بخش برای روشن کردن فیزیک عملیاتی و اعتبارسنجی مدل‌ها استفاده می‌کند. ویژگی های عملکرد دستگاه را تجزیه و تحلیل می کند که امکان توسعه محصولات واقعی و کم مصرف را فراهم می کند. شامل تمرین های متعدد در هر فصل برای تقویت مفاهیم معرفی شده. شامل فصلی در مورد تأثیر دستگاه های نیمه هادی قدرت بر صرفه جویی در انرژی و کاهش انتشار کربن است.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Introduction -- Material Properties and Transport Physics -- Breakdown Voltage -- Schottky Rectifiers -- P-i-N Rectifiers -- Power MOSFETs -- Bipolar Junction Transistors -- Thyristors -- Insulated Gate Bipolar Thyristors -- Synopsis.;This textbook provides an in-depth treatment of the physics of power semiconductor devices that are commonly used by the power electronics industry. Drawing upon decades of industry and teaching experience and using numerous examples and illustrative applications, the author discusses in detail the various device performance attributes that allow practicing engineers to develop energy-efficient products. Coverage includes all types of power rectifiers and transistors and analytical models for explaining the operation of all power semiconductor devices are developed and demonstrated in each section of the book. Throughout the book, emphasis is placed on deriving simple analytical expressions that describe the underlying physics and enable representation of the device electrical characteristics. This treatment is invaluable for teaching a course on power devices because it allows the operating principles and concepts to be conveyed with quantitative analysis. The treatment focuses on silicon devices but includes the unique attributes and design requirements for emerging silicon carbide devices. This new edition also includes a chapter on the impact of power semiconductor devices on energy savings and reduction of carbon emissions. Provides comprehensive textbook for courses on physics of power semiconductor devices; Includes extensive analytical formulations for design and analysis of device structures; Uses numerical simulation examples in every section to elucidate the operating physics and validate the models; Analyzes device performance attributes that enable development of real, energy-efficient products; Includes numerous exercises in each chapter to reinforce concepts introduced; Includes a chapter on the impact of power semiconductor devices on energy savings and reduction of carbon emissions.

فهرست مطالب

Introduction --
Material Properties and Transport Physics --
Breakdown Voltage --
Schottky Rectifiers --
P-i-N Rectifiers --
Power MOSFETs --
Bipolar Junction Transistors --
Thyristors --
Insulated Gate Bipolar Thyristors --
Synopsis.

نظرات کاربران

کتاب های تصادفی

دانلود کتاب An introduction to multiagent systems

دانلود کتاب Confessions of an Islamophobe

دانلود کتاب Die Primäre Produktion: Ein praktischer Leitfaden zur verlustfreien Wertschöpfung

دانلود کتاب Praxisbuch Wälder fotografieren: Stimmungsvolle und märchenhafte Fotos zu jeder Jahreszeit

دانلود کتاب Bring your own Device: Einsatz von privaten Endgeräten im beruflichen Umfeld – Chancen, Risiken und Möglichkeiten