دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: نویسندگان: Benjamin Iñiguez, Benjamin Iñiguez, Tor A Fjeldly سری: Selected Topics in Electronics and Systems ISBN (شابک) : 9814583189, 9789814583183 ناشر: World Scientific Publishing Company سال نشر: 2014 تعداد صفحات: 204 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 8 مگابایت
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
کلمات کلیدی مربوط به کتاب مرزها در الکترونیک: مدل سازی پیشرفته دستگاه های الکترونی در مقیاس نانو: استفاده از مدارهای مجتمع برق الکترونیک مهندسی حمل و نقل نوری الکترونیک مرجع سالنامه ها سالنامه ها اطلس نقشه ها مشاغل فهرست راهنماها راهنمای مصرف کننده فرهنگ لغت نامه ها دایره المعارف ها موضوع انگلیسی به عنوان زبان دوم آداب و رسوم مطالعه خارجی تبارشناسی واژگان تحقیق واژگان پیشاپیشامارز فناوری روزنامه نگاری ارتباطی آموزش کامپیوتر Huma
در صورت تبدیل فایل کتاب Frontiers in Electronics: Advanced Modeling of Nanoscale Electron Devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مرزها در الکترونیک: مدل سازی پیشرفته دستگاه های الکترونی در مقیاس نانو نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب شامل چهار فصل برای پرداختن به سطوح مختلف مدلسازی برای ساختارهای مختلف MOS در مقیاس نانو (MOSFETهای تک و چند دروازهای) است. مجموعه این فصول در کتاب سعی شده است تا پوششی جامع در مورد سطوح مختلف الکترواستاتیک و مدل سازی حمل و نقل این دستگاه ها و روابط بین آنها ارائه دهد. به طور خاص، موضوع رویکردهای انتقال کوانتومی، مدلسازی پیشبینیکننده تحلیلی 2 بعدی/3 بعدی و مدلسازی فشرده طراحی محور. این باید برای محققانی که در هر سطحی روی مدلسازی کار میکنند، مورد علاقه باشد تا توضیح روشنی در مورد رویکردهای مورد استفاده و پیوندهایی با تکنیکهای مدلسازی برای سطوح بالاتر یا پایینتر ارائه دهند.
This book consists of four chapters to address at different modeling levels for different nanoscale MOS structures (Single- and Multi-Gate MOSFETs). The collection of these chapters in the book are attempted to provide a comprehensive coverage on the different levels of electrostatics and transport modeling for these devices, and relationships between them. In particular, the issue of quantum transport approaches, analytical predictive 2D/3D modeling and design-oriented compact modeling. It should be of interests to researchers working on modeling at any level, to provide them with a clear explanation of theapproaches used and the links with modeling techniques for either higher or lower levels.