دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: Sitangshu Bhattacharya. Kamakhya Prasad Ghatak (auth.)
سری: Springer Series in Solid-State Sciences 170
ISBN (شابک) : 9783642204937, 3642204937
ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg
سال نشر: 2012
تعداد صفحات: 352
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 3 مگابایت
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
کلمات کلیدی مربوط به کتاب انتشار فاولر نوردیمام: اثرات در نانوساختارهای نیمه هادی: نیمه هادی ها، مواد نوری و الکترونیکی، نانوتکنولوژی، علم و فناوری نانومقیاس، مایکروویو، RF و مهندسی نوری
در صورت تبدیل فایل کتاب Fowler-Nordheim Field Emission: Effects in Semiconductor Nanostructures به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب انتشار فاولر نوردیمام: اثرات در نانوساختارهای نیمه هادی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این تک نگاری صرفاً انتشار میدان فاولر-نوردهایم (FNFE) از نیمه هادی ها و نانوساختارهای آنها را ارائه می دهد. مواد در نظر گرفته شده نوری غیرخطی محدود کوانتومی، III-V، II-VI، Ge، Te، نانولوله های کربنی، PtSb2، مواد تحت تنش، بیسموت، GaP، گالیوم آنتیموناید، II-V، Bi2Te3، III-V، II- هستند. ابرشبکه های VI، IV-VI و HgTe/CdTe با رابط های درجه بندی شده و ابرشبکه های جرم موثر تحت کوانتیزه شدن مغناطیسی و سیم های کوانتومی ابرشبکه های فوق الذکر. FNFE در مواد نوری الکترونیک و همتایان محدود کوانتومی آنها در حضور امواج نور و میدان های الکتریکی شدید بر اساس قوانین جدید پراکندگی الکترون فرموله شده که مطالعات چنین دستگاه های اثر کوانتومی را کنترل می کند مورد مطالعه قرار می گیرد. اهمیت اندازهگیری فاصله باند در مواد نوری الکترونیکی در حضور میدانهای خارجی از این منظر مورد بحث قرار میگیرد. این تک نگاری شامل 200 مسئله تحقیق باز است که هسته اصلی را تشکیل می دهد و برای دانشجویان و محققین دکتری مفید است. این کتاب همچنین می تواند به عنوان پایه ای برای دوره تحصیلات تکمیلی در مورد انتشار میدانی از جامدات باشد.
This monograph solely presents the Fowler-Nordheim field emission (FNFE) from semiconductors and their nanostructures. The materials considered are quantum confined non-linear optical, III-V, II-VI, Ge, Te, carbon nanotubes, PtSb2, stressed materials, Bismuth, GaP, Gallium Antimonide, II-V, Bi2Te3, III-V, II-VI, IV-VI and HgTe/CdTe superlattices with graded interfaces and effective mass superlattices under magnetic quantization and quantum wires of the aforementioned superlattices. The FNFE in opto-electronic materials and their quantum confined counterparts is studied in the presence of light waves and intense electric fields on the basis of newly formulated electron dispersion laws that control the studies of such quantum effect devices. The importance of band gap measurements in opto-electronic materials in the presence of external fields is discussed from this perspective. This monograph contains 200 open research problems which form the very core and are useful for Ph. D students and researchers. The book can also serve as a basis for a graduate course on field emission from solids.
Front Matter....Pages i-xxii
Front Matter....Pages 1-1
Field Emission from Quantum Wires of Nonparabolic Semiconductors....Pages 3-70
Field Emission from Quantum Wire Superlattices of Non-parabolic Semiconductors....Pages 71-107
Field Emission from Quantum Confined Semiconductors Under Magnetic Quantization....Pages 109-155
Field Emission from Superlattices of Nonparabolic Semiconductors Under Magnetic Quantization....Pages 157-184
Front Matter....Pages 185-185
Field Emission from Quantum-Confined III–V Semiconductors in the Presence of LightWaves....Pages 187-230
Front Matter....Pages 231-231
Field Emission from Quantum-Confined Optoelectronic Semiconductors....Pages 233-280
Applications and Brief Review of Experimental Results....Pages 281-327
Conclusion and Future Research....Pages 329-333
Back Matter....Pages 335-338