ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Festkörperprobleme 36

دانلود کتاب مشکلات حالت جامد 36

Festkörperprobleme 36

مشخصات کتاب

Festkörperprobleme 36

ویرایش:  
نویسندگان: , , ,   
سری: Advances in Solid State Physics 36 
ISBN (شابک) : 9783528080464, 9783540753322 
ناشر: Springer Berlin Heidelberg 
سال نشر: 1996 
تعداد صفحات: 285 
زبان: German 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 6 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 41,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب مشکلات حالت جامد 36: ماده چگال



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 11


در صورت تبدیل فایل کتاب Festkörperprobleme 36 به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب مشکلات حالت جامد 36 نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب مشکلات حالت جامد 36

جلد 7 1967، v. 9 1969 شامل "مقالات دعوت شده از نشست اروپایی IEEE" است.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Vol. 7 1967, v. 9 1969 include "invited papers of the European meeting of the IEEE."



فهرست مطالب

The study of solid-liquid interfaces by in-situ STM....Pages 1-31
Optical properties of GaN....Pages 33-56
InAs/AlSb/GaSb heterostructures....Pages 57-75
Electronic properties of diamond surfaces....Pages 77-104
Optical properties of quantum wires and dots....Pages 105-133
Ab initio calculation of the structure and dynamics of III–V semiconductor surfaces....Pages 135-158
High-resolution electron energy-loss spectroscopy of phonons at semiconductor surfaces....Pages 159-179
Phonons at hydrogen-terminated Si and diamond surfaces....Pages 181-201
Prozeßsimulation: Stand der Technik....Pages 203-243
Physical models for semiconductor device simulation....Pages 245-263
Boundary and interface conditions of transport equations for device simulation....Pages 265-283




نظرات کاربران