دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: نویسندگان: Martin Stutzmann (auth.), U. Rössler (eds.) سری: Advances in Solid State Physics 28 ISBN (شابک) : 9783528080341, 9783540753520 ناشر: Springer Berlin Heidelberg سال نشر: 1988 تعداد صفحات: 180 زبان: German فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 4 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب مسائل حالت جامد 28: سخنرانی های عمومی پنجاه و دومین نشست سالانه انجمن فیزیک آلمان (DPG) و بخش های "فیزیک نیمه هادی ها" "دینامیک و فیزیک آماری" "لایه های نازک" "فیزیک سطح" "فیزیک سطح دمای پایین" "فیزیک فلزات" کارلسروهه، 14 مارس 18، 1988: ماده چگال
در صورت تبدیل فایل کتاب Festkörperprobleme 28: Plenary Lectures of the 52nd Annual Meeting of the German Physical Society (DPG) and of the Divisions “Semiconductor Physics” “Dynamics and Statistical Physics” “Thin Films” “Surface Physics” “Low Temperature Physics” “Magnetism” “Metal Physics” Karlsruhe, March 14…18, 1988 به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مسائل حالت جامد 28: سخنرانی های عمومی پنجاه و دومین نشست سالانه انجمن فیزیک آلمان (DPG) و بخش های "فیزیک نیمه هادی ها" "دینامیک و فیزیک آماری" "لایه های نازک" "فیزیک سطح" "فیزیک سطح دمای پایین" "فیزیک فلزات" کارلسروهه، 14 مارس 18، 1988 نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
Charge-induced structural relaxation in hydrogenated amorphous silicon....Pages 1-20
Magnetooptics of two-dimensional electrons under the conditions of integral and fractional quantum hall effect in Si-MOSFETs and GaAs-AlGaAs single heterojunctions....Pages 21-43
Microwave investigations of the quantum hall effect in GaAs/AlGaAs heterostructures....Pages 45-62
Recent developments in the theory of highly excited semiconductors....Pages 63-85
The development of a 4 Mbit DRAM....Pages 87-98
Fabrication and optical spectroscopy of ultra small III–V compound semiconductor structures....Pages 99-119
Quasi-One-Dimensional electron systems on GaAs/AlGaAs heterojunctions....Pages 121-140
On the theory of high T c superconductors....Pages 141-162