دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش:
نویسندگان: Taku Onishi
سری:
ISBN (شابک) : 9811926689, 9789811926686
ناشر: Springer
سال نشر: 2022
تعداد صفحات: 207
[206]
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 5 Mb
در صورت تبدیل فایل کتاب Ferroelectric Perovskites for High-Speed Memory: A Mechanism Revealed by Quantum Bonding Motion به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب پروسکایت فروالکتریک برای حافظه پرسرعت: مکانیزمی که توسط حرکت پیوند کوانتومی آشکار شد نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب برای محققان نظری و تجربی که به فروالکتریک و حافظه پیشرفته علاقه مند هستند در نظر گرفته شده است. پس از معرفی خوانندگان با دی الکتریک، پروسکایت، حافظه های پیشرفته و فروالکتریک، شبیه سازی کوانتومی را توضیح می دهد. سپس با استفاده از نتایج محاسبات مداری مولکولی، مکانیسم فروالکتریک در اکسیدهای تیتانیوم پروسکایت را به صورت بتن توضیح می دهد. در نهایت، این کتاب به بررسی مواد طراحی شده برای فروالکتریک های با کارایی بالا می پردازد و در مورد آینده حافظه های پرسرعت بحث می کند.
This book is intended for theoretical and experimental researchers who are interested in ferroelectrics and advanced memory. After introducing readers to dielectric, perovskites, advanced memories, and ferroelectric, it explains quantum simulation. Then, using molecular orbital calculation results, it explains the ferroelectric mechanism in perovskite titanium oxides in concrete terms. Lastly, the book examines the materials designed for high-performance ferroelectrics and discusses the future of high-speed memory.