دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: Emmanuel Defaÿ
سری: ISTE
ISBN (شابک) : 1848213131, 9781848213135
ناشر: Wiley-ISTE
سال نشر: 2011
تعداد صفحات: 457
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 29 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Ferroelectric Dielectrics Integrated on Silicon به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب دی الکتریک دی الکتریک مجتمع شده روی سیلیکون نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب فناوری بهروزی را که برای مواد با K بالا برای
کاربردهای بیش از مور به کار میرود، یعنی میکروسیستمهای بکار
رفته در فناوریهای هسته میکروالکترونیک توصیف میکند.
پس از جزئیات نظریه پایه ترمودینامیکی اعمال شده بر روی لایههای
نازک دی الکتریک با پتاسیم بالا از جمله اثرات بیرونی، این کتاب
بر ویژگی لایه های نازک تأکید دارد. سپس فناوریهای رسوبگذاری و
الگوسازی ارائه میشوند. یک فصل کامل به نقش عمده ای که در این
زمینه توسط مشخصه یابی پراش پرتو ایکس ایفا می شود، اختصاص داده
شده است، و سایر تکنیک های مشخصه نیز مانند مشخصه یابی فرکانس
رادیویی توضیح داده شده است. یک مطالعه عمیق از تأثیر جریانهای
نشتی همراه با بحث قابلیت اطمینان انجام میشود. سه فصل کاربردی
خازن های یکپارچه، خازن های متغیر و حافظه های فروالکتریک را پوشش
می دهد. فصل آخر به یک زمینه تحقیقاتی جدید، یعنی لایههای نازک
چند فرویی میپردازد.
This book describes up-to-date technology applied to high-K
materials for More Than Moore applications, i.e. microsystems
applied to microelectronics core technologies.
After detailing the basic thermodynamic theory applied to
high-K dielectrics thin films including extrinsic effects, this
book emphasizes the specificity of thin films. Deposition and
patterning technologies are then presented. A whole chapter is
dedicated to the major role played in the field by X-Ray
Diffraction characterization, and other characterization
techniques are also described such as Radio frequency
characterization. An in-depth study of the influence of leakage
currents is performed together with reliability discussion.
Three applicative chapters cover integrated capacitors,
variables capacitors and ferroelectric memories. The final
chapter deals with a reasonably new research field,
multiferroic thin films.