دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: Erika R Crandall (auth.)
سری: Springer Theses
ISBN (شابک) : 9783319004693, 9783319004709
ناشر: Springer International Publishing
سال نشر: 2013
تعداد صفحات: 145
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 8 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب عوامل موثر بر رشد قارچ قلع: مدارها و دستگاه های الکترونیکی، مدارها و سیستم ها، مواد فلزی، سطوح و رابط ها، لایه های نازک، علوم سطح و رابط، لایه های نازک
در صورت تبدیل فایل کتاب Factors Governing Tin Whisker Growth به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب عوامل موثر بر رشد قارچ قلع نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
سبیل های قلع (Sn) فوران های تک کریستالی رسانای الکتریکی هستند که از سطوح فیلم Sn رشد می کنند. نسبت تصویر بالای آنها به دلیل ایجاد پلها و قوسهای فلزی، مشکلات قابلیت اطمینان را برای صنعت الکترونیک ایجاد میکند که منجر به نقص و خرابی فاجعهبار در بسیاری از سیستمهای الکترونیکی (از جمله بخشهای ماهوارهای و دفاعی) میشود. با توجه به قوانین اتحادیه اروپا، ژاپن و ایالات متحده، که تغییر تدریجی از لحیم کاری های مبتنی بر سرب (Pb) را به لحیم کاری های بدون سرب و روکش های تخته الزامی می کند، ظهور مجدد سبیل های Sn وجود داشته است. گزارشهای مداوم از خرابیهای ناشی از سبیل Sn همراه با عدم درک مورد قبول صنعت از رشد سبیل و/یا روشهای آزمایش برای شناسایی محصولات مستعد سبیل، جایگزینهای Sn خالص/بالا را به یک پیشنهاد مخاطره آمیز در سیستمهای با قابلیت اطمینان بالا تبدیل کرده است.
این پایان نامه به منظور شفاف سازی و کنترل مکانیسم های اساسی حاکم بر تشکیل سبیل طراحی شده است. این تحقیق بر روی سبیل های ایجاد شده در آزمایشگاه قابل تکرار تحت عوامل محیطی مختلفی مانند ضخامت لایه، تنش لایه، مواد بستر، محیط گاز و قرار گرفتن در معرض رطوبت متمرکز است که نقش مهمی در تولید سبیل دارند. سوال نهایی در مورد چگونگی ممانعت و/یا جلوگیری از رشد سبیل نیز مطرح شده است و نشان میدهد که پیشگیری از سبیل از طریق فیلمهای درپوش فلزی سخت، که توسط سبیلها غیرقابل نفوذ هستند، امکانپذیر است.
Tin (Sn) whiskers are electrically conductive, single crystal eruptions that grow from Sn film surfaces. Their high aspect ratio presents reliability problems for the electronics industry due to bridging and metal arcing, leading to malfunctions and catastrophic failures in many electronic systems (including satellite and defense sectors). Due to legislation in the EU, Japan, and the U.S., mandating a gradual shift from lead (Pb)-based to lead-free solders and board finishes, there has been a reemergence of Sn whiskers. Continuing reports of Sn whisker induced failures coupled with the lack of an industry-accepted understanding of whisker growth and/or test methods to identify whisker prone products has made pure/high Sn substitutes a risky proposition in high reliability systems.
This thesis is designed to clarify and control the fundamental mechanisms that govern whisker formation. The research focuses on reproducible "laboratory" created whiskers under a variety of rigorously controlled environmental factors such as film thickness, film stress, substrate material, gas environment, and humidity exposure, which are known to play a significant role in whisker production. The ultimate question of how to impede and/or prevent whisker growth is also addressed and shows that whisker prevention is possible via hard metal capping films, which are impenetrable by whiskers.
Front Matter....Pages i-xii
Introduction: Whiskers and Their Role in Component Reliability....Pages 1-24
Film/Substrate Effects on Whisker Growth....Pages 25-66
Environmental Effects on Whisker Growth....Pages 67-105
Whisker Mitigation and Prevention....Pages 107-123
Conclusions....Pages 125-131
Back Matter....Pages 133-136