دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: فناوری نانو ویرایش: 1 نویسندگان: Amith Singhee (auth.), Amith Singhee, Rob A. Rutenbar (eds.) سری: Integrated Circuits and Systems ISBN (شابک) : 1441966056, 9781441966056 ناشر: Springer US سال نشر: 2010 تعداد صفحات: 257 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 4 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب آمار فوق العاده در طراحی حافظه در مقیاس نانو: مدارها و سیستم ها، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق
در صورت تبدیل فایل کتاب Extreme Statistics in Nanoscale Memory Design به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب آمار فوق العاده در طراحی حافظه در مقیاس نانو نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
Extreme Statistics in Nanoscale Memory Design برخی از متخصصان برجسته جهان را در EDA آماری، طراحی حافظه، مدلسازی تنوع دستگاه و مدلسازی قابلیت اطمینان گرد هم میآورد تا نتایج نظری و عملی را در یک مرجع کامل در مورد تکنیکهای آماری برای آمارهای شدید در حافظههای نانومقیاس گردآوری کند. . این کار انواع تکنیکها، از جمله روشهای آماری، قطعی، مبتنی بر مدل و غیر پارامتری را به همراه توضیحات مرتبط منابع تغییرات و تأثیر آنها بر دستگاهها و طراحی حافظه را پوشش میدهد. به طور خاص، نویسندگان روشهایی را از نظریه ارزش افراطی، شبیهسازی مونت کارلو، مدلسازی قابلیت اطمینان، محاسبه حاشیه حافظه مستقیم و محاسبه بیشحجمی پوشش میدهند. ایدهها نیز از دیدگاه یک متخصص EDA و یک طراح حافظه ارائه میشوند تا درک جامعی از آخرین هنر در حوزه تخمین آمار شدید و طراحی حافظه آماری ارائه کنند. Extreme Statistics in Nanoscale Memory Design مرجع مفیدی در طراحی آماری مدارهای مجتمع برای محققان، مهندسان و متخصصان است.
Extreme Statistics in Nanoscale Memory Design brings together some of the world’s leading experts in statistical EDA, memory design, device variability modeling and reliability modeling, to compile theoretical and practical results in one complete reference on statistical techniques for extreme statistics in nanoscale memories. The work covers a variety of techniques, including statistical, deterministic, model-based and non-parametric methods, along with relevant description of the sources of variations and their impact on devices and memory design. Specifically, the authors cover methods from extreme value theory, Monte Carlo simulation, reliability modeling, direct memory margin computation and hypervolume computation. Ideas are also presented both from the perspective of an EDA practitioner and a memory designer to provide a comprehensive understanding of the state-of -the-art in the area of extreme statistics estimation and statistical memory design. Extreme Statistics in Nanoscale Memory Design is a useful reference on statistical design of integrated circuits for researchers, engineers and professionals.
Front Matter....Pages i-ix
Introduction....Pages 1-8
Extreme Statistics in Memories....Pages 9-15
Statistical Nano CMOS Variability and Its Impact on SRAM....Pages 17-49
Importance Sampling-Based Estimation: Applications to Memory Design....Pages 51-96
Direct SRAM Operation Margin Computation with Random Skews of Device Characteristics....Pages 97-136
Yield Estimation by Computing Probabilistic Hypervolumes....Pages 137-177
Most Probable Point-Based Methods....Pages 179-202
Extreme Value Theory: Application to Memory Statistics....Pages 203-240
Back Matter....Pages 241-246