دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش:
نویسندگان: Steven H Voldman
سری:
ISBN (شابک) : 0470012900, 9780470012901
ناشر: John Wiley & Sons
سال نشر: 2004
تعداد صفحات: 411
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 11 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب ESD : physics and devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب ESD: فیزیک و دستگاه ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این جلد اولین کتاب از مجموعهای از سه کتاب است که به فیزیک، دستگاهها، مدارها و طراحی تخلیه الکترواستاتیک (ESD) در طیف کاملی از فناوریهای مدار مجتمع میپردازد. ESD Physics and Devices درمان مختصری از پدیده ESD و فیزیک دستگاههایی که تحت شرایط ESD کار میکنند ارائه میکند. ولدمن مقدمهای در دسترس از این رشته را برای مهندسان و محققانی که به یک زمین محکم در این زمینه مهم نیاز دارند، ارائه میکند. این کتاب شامل CMOS پیشرفته، Silicon On Insulator، Silicon Germanium و Silicon Germanium Carbon است. علاوه بر این، ESD را در CMOS پیشرفته با بحث در مورد جداسازی ترانشه کم عمق (STI)، مس و مواد کم پتاسیم مورد بررسی قرار می دهد. درک روشنی از فیزیک دستگاه ESD و اصول پدیده های ESD ارائه می دهد. رفتار دستگاه های نیمه هادی را در شرایط ESD تجزیه و تحلیل می کند. به آگاهی رو به رشد از مشکلات ناشی از پدیده های ESD در مدارهای مجتمع پیشرفته می پردازد. برای اولین بار تست ESD، معیارهای شکست و تئوری مقیاسبندی را برای فناوریهای CMOS، SOI (سیلیکون روی عایق)، BiCMOS و BiCMOS SiGe (سیلیکون ژرمانیوم) پوشش میدهد. در مورد مفاهیم طراحی و توسعه ESD در فن آوری های نیمه هادی بحث می کند. مرجعی ارزشمند برای مهندسان و محققان غیرمتخصص EMC که در زمینه طراحی آی سی و ترانزیستور کار می کنند. همچنین برای محققان و دانشجویان پیشرفته در زمینه های مدل سازی دستگاه/مدار و قابلیت اطمینان نیمه هادی مناسب است.
This volume is the first in a series of three books addressing Electrostatic Discharge (ESD) physics, devices, circuits and design across the full range of integrated circuit technologies. ESD Physics and Devices provides a concise treatment of the ESD phenomenon and the physics of devices operating under ESD conditions. Voldman presents an accessible introduction to the field for engineers and researchers requiring a solid grounding in this important area. The book contains advanced CMOS, Silicon On Insulator, Silicon Germanium, and Silicon Germanium Carbon. In addition it also addresses ESD in advanced CMOS with discussions on shallow trench isolation (STI), Copper and Low K materials. Provides a clear understanding of ESD device physics and the fundamentals of ESD phenomena. Analyses the behaviour of semiconductor devices under ESD conditions. Addresses the growing awareness of the problems resulting from ESD phenomena in advanced integrated circuits. Covers ESD testing, failure criteria and scaling theory for CMOS, SOI (silicon on insulator), BiCMOS and BiCMOS SiGe (Silicon Germanium) technologies for the first time. Discusses the design and development implications of ESD in semiconductor technologies. An invaluable reference for EMC non-specialist engineers and researchers working in the fields of IC and transistor design. Also, suitable for researchers and advanced students in the fields of device/circuit modelling and semiconductor reliability.