دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: Professor Dr. Marian A. Herman, Professor Dr. Wolfgang Richter, Professor Dr. Helmut Sitter (auth.) سری: Springer Series in MATERIALS SCIENCE 62 ISBN (شابک) : 9783642087370, 9783662070642 ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg سال نشر: 2004 تعداد صفحات: 529 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 20 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب اپیتاکسی: اصول فیزیکی و پیاده سازی فنی: کریستالوگرافی، مواد نوری و الکترونیکی، خصوصیات و ارزیابی مواد، شیمی صنعتی/مهندسی شیمی، شیمی فیزیک
در صورت تبدیل فایل کتاب Epitaxy: Physical Principles and Technical Implementation به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب اپیتاکسی: اصول فیزیکی و پیاده سازی فنی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
Epitaxy یک بررسی جامع از مدلها و اصلاحات مدرن اپیتاکسی، همراه با چارچوب تجربی و تکنولوژیکی مربوطه را در اختیار خوانندگان قرار میدهد. این کتاب درسی پیشرفته تمام جنبههای مهم فرآیندهای رشد همپایی لایههای جامد را بر روی بسترهای کریستالی، از جمله بخشی در هترواپیتاکسی توصیف میکند. این مقاله مهمترین تکنیک های رشد همپایی را که در حال حاضر به طور گسترده در تحقیقات پایه و همچنین در فرآیندهای ساخت دستگاه ها استفاده می شود، شامل اپیتاکسی فاز جامد، اپیتاکسی فاز مایع، اپیتاکسی فاز بخار، از جمله فلز-آلی را پوشش می دهد و بحث می کند. اپیتاکسی فاز بخار و اپیتاکسی پرتو مولکولی. پوشش فیلم نازک علم و تکنولوژی Epitaxy در نظر گرفته شده است تا نیاز به یک مرجع و متن جامع را بررسی کند که انواع مشکلات مربوط به پایه های فیزیکی و اجرای فنی تبلور اپیتاکسیال را بررسی کند. این برای دانشجویان مقطع کارشناسی، دانشجویان دکترا، دانشمندان محقق، مدرسان و مهندسان مجری علاقه مند به علم مواد، الکترونیک حالت جامد و رشد کریستال در نظر گرفته شده است.
Epitaxy provides readers with a comprehensive treatment of the modern models and modifications of epitaxy, together with the relevant experimental and technological framework. This advanced textbook describes all important aspects of the epitaxial growth processes of solid films on crystalline substrates, including a section on heteroepitaxy. It covers and discusses in details the most important epitaxial growth techniques, which are currently widely used in basic research as well as in manufacturing processes of devices, namely solid-phase epitaxy, liquid-phase epitaxy, vapor-phase epitaxy, including metal-organic vapor-phase epitaxy and molecular-beam epitaxy. Epitaxy’s coverage of science and texhnology thin-film is intended to fill the need for a comprehensive reference and text examining the variety of problems related to the physical foundations and technical implementation of epitaxial crystallization. It is intended for undergraduate students, PhD students, research scientists, lecturers and practicing engineers interested in materials science, solid state electronics and crystal growth.
Front Matter....Pages I-XV
Front Matter....Pages 1-1
Introduction....Pages 3-10
Homo- and Heteroepitaxial Crystallization Phenomena....Pages 11-34
Application Areas of Epitaxially Grown Layer Structures....Pages 35-42
Front Matter....Pages 43-43
Solid Phase Epitaxy....Pages 45-62
Liquid Phase Epitaxy....Pages 63-80
Vapor Phase Epitaxy....Pages 81-129
Molecular Beam Epitaxy....Pages 131-170
Metal Organic Vapor Phase Epitaxy....Pages 171-200
Front Matter....Pages 201-201
In-situ Analysis of Species and Transport....Pages 203-223
In-situ Surface Analysis....Pages 225-264
Front Matter....Pages 265-265
Thermodynamic Aspects....Pages 267-320
Atomistic Aspects....Pages 321-350
Quantum Mechanical Aspects....Pages 351-386
Front Matter....Pages 387-387
Heteroepitaxy; Growth Phenomena....Pages 389-421
Material-Related Problems of Heteroepitaxy....Pages 423-464
Closing Remarks....Pages 465-466
Back Matter....Pages 467-525