Epitaxial Growth of III-Nitride Compounds

این کتاب اطلاعات گسترده‌ای را در مورد مکانیسم‌های رشد همپایه در ترکیبات III-نیترید ارائه می‌کند، با استفاده از یک رویکرد محاسباتی پیشرفته که محاسبات اولیه، پتانسیل‌های بین اتمی تجربی، و شبیه‌سازی‌های مونت کارلو را ترکیب می‌کند. انجام دهید. این مقاله جنبه‌های نظری مهم ساختارهای سطحی و فرآیندهای رشد عنصری را در طول رشد همپایی ترکیبات III-نیترید مورد بحث قرار می‌دهد. علاوه بر این، خواص ساختاری و الکترونیکی پیشرفته، ساختارهای سطحی، فرآیندهای رشد اساسی و رفتار جدید لایه‌های نازک در نیمه‌هادی‌های نیترید III را مورد بحث قرار می‌دهد. به این ترتیب، برای همه محققان، مهندسان و دانشجویان فارغ التحصیل که به دنبال اطلاعات دقیق در مورد رشد کریستال و کاربرد آن در ترکیبات III-نیترید هستند، جذاب خواهد بود.

This book presents extensive information on the mechanisms of epitaxial growth in III-nitride compounds, drawing on a state-of-the-art computational approach that combines ab initio calculations, empirical interatomic potentials, and Monte Carlo simulations to do so. It discusses important theoretical aspects of surface structures and elemental growth processes during the epitaxial growth of III-nitride compounds. In addition, it discusses advanced fundamental structural and electronic properties, surface structures, fundamental growth processes and novel behavior of thin films in III-nitride semiconductors. As such, it will appeal to all researchers, engineers and graduate students seeking detailed information on crystal growth and its application to III-nitride compounds.