دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: Seungbum Hong, Orlando Auciello, Dirk Wouters (eds.) سری: ISBN (شابک) : 9781489975362, 9781489975379 ناشر: Springer US سال نشر: 2014 تعداد صفحات: 280 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 12 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب خاطرات غیر فرار در حال ظهور: مواد نوری و الکترونیکی، فیزیک حالت جامد، طیف سنجی و میکروسکوپ، مهندسی برق
در صورت تبدیل فایل کتاب Emerging Non-Volatile Memories به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب خاطرات غیر فرار در حال ظهور نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب مقدمهای است بر مبانی خاطرات غیر فرار در حال ظهور و مروری بر روندهای آینده در این زمینه ارائه میکند. خوانندگان پوشش هفت فناوری مهم حافظه را پیدا خواهند کرد، از جمله حافظه با دسترسی تصادفی فروالکتریک (FeRAM)، رم فرومغناطیسی (FMRAM)، رم چند فرویک (MFRAM)، حافظه های تغییر فاز (PCM)، رم مقاومتی مبتنی بر اکسید (RRAM)، ذخیره سازی پروب. و حافظه های پلیمری. فصلها به گونهای طراحی شدهاند که اشاعهها و درگیریهای بین موضوعات مختلف را منعکس کنند. EmergingNon-Volatile Memoriesکتابی ایدهآل برای دانشجویان فارغالتحصیل، اساتید و متخصصان شاغل در این منطقه است. حافظه غیر فرار.
این کتاب همچنین:
تکنولوژیهای کلیدی حافظه، از جمله فروالکتریک تصادفی را پوشش میدهد. حافظه دسترسی (FeRAM)، رم فرومغناطیسی (FMRAM) و رم مولتی فرویک (MFRAM) از جمله موارد دیگر است.
نمای کلی از اصول حافظه غیر فرار را ارائه می دهد.
درک خوانندگان را گسترش می دهد. روندهای آینده در حافظه های غیر فرار.
This book is an introduction to the fundamentals of emerging non-volatile memories and provides an overview of future trends in the field. Readers will find coverage of seven important memory technologies, including Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM), Ferromagnetic RAM (FMRAM), Multiferroic RAM (MFRAM), Phase-Change Memories (PCM), Oxide-based Resistive RAM (RRAM), Probe Storage, and Polymer Memories. Chapters are structured to reflect diffusions and clashes between different topics. EmergingNon-Volatile Memories is an ideal book for graduate students, faculty, and professionals working in the area of non-volatile memory.
This book also:
Covers key memory technologies, including Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM), Ferromagnetic RAM (FMRAM), and Multiferroic RAM (MFRAM), among others.
Provides an overview of non-volatile memory fundamentals.
Broadens readers’ understanding of future trends in non-volatile memories.
Front Matter....Pages i-xii
Front Matter....Pages 1-1
Review of the Science and Technology for Low- and High-Density Nonvolatile Ferroelectric Memories....Pages 3-35
Hybrid CMOS/Magnetic Memories (MRAMs) and Logic Circuits....Pages 37-101
Emerging Multiferroic Memories....Pages 103-166
Front Matter....Pages 167-167
Phase-Change Materials for Data Storage Applications....Pages 169-193
Emerging Oxide Resistance Change Memories....Pages 195-218
Oxide Based Memristive Nanodevices....Pages 219-256
Front Matter....Pages 257-257
Ferroelectric Probe Storage Devices....Pages 259-273