Electrónica: Iniciación al Cálculo y la Experimentación, Tomo II - Transistores en B. F.

Capítulo I: SEMICONDUCTORES. CONDUCCIÓN POR ELECTRONES Y POR HUECOS. DIODOS DE UNIÓN
	I.1 Corriente eléctrica; conductores y aislantes. Semiconductores: estructura molecular y conducción intrínseca
	I.2 Impurezas; semiconductores contaminados “N” y “P”. Conducción a través de los semiconductores contaminados
	I.3 Unión np en equilibrio. Unión np, bajo tensión; corriente directa y corriente inversa
	I.4 Corriente inversa y reacción térmica

Capítulo II: EFECTO TRANSISTOR. CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS Y PARÁMETROS. MANDO DE UN TRANSISTOR
	II.1 Efecto transistor; relaciones fundamentales
	II.2 Montaje BC; características estáticas, resistencia interna, resistencia de entrada. Montaje Ec
	II.3 Recta de carga; característica dinámica. Recta de ataque; distorsión lineal. Mando por tensión y por corriente
	II.4 Efecto transistor representado por una “fuente de tensión” o por una “fuente de corriente”
	II.5 Trabajos prácticos

Capítulo III: AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA POTENCIA EN RÉGIMEN SINUSOIDAL ESTABLE (CLASE A)
	III.1 Efecto “triodo” y efecto “transistor”; ganancia de potencia; mando adaptado; ganancia compuesta de potencia
	III.2 Ejemplo de cálculo de un preamplificador de B.F.
	III.3 Uniones por transformadores y por capacidades; circuitos equivalentes
	III.4 Ejercicios y trabajos prácticos

Capítulo IV: CONTRARREACCIÓN DE INTENSIDAD POR INSERCIÓN DE UNA RESISTENCIA ENTRE EMISOR Y MASA EN EL MONTAJE DE EC; PREAMPLIFICADOR DE DOS PASOS
	IV.1 Inserción de una resistencia Re entre el emisor y masa en el montaje de emisor común
	IV.2 Ejemplo de cálculo de un preamplificador de dos pasos de emisor común; unión por resistencia-capacidad, contrarreacción de intensidad
	IV.3 Ejercicios y trabajos prácticos

Capítulo V: EL CUADRIPOLO
	V.1 Cuadripolo lineal en régimen sinusoidal estable
	V.2 Amplificación por cuadripolo lineal; parámetros en Z. Ganancia, impedancia de entrada y de salida
	V.3 Cuadripolo pasivo y activo; ganancia inversa y reacción interna

Capítulo VI: TRANSISTOR EN RÉGIMEN SINUSOIDAL PERMANENTE, CON PEQUEÑAS SEÑALES, CONSIDERADO COMO UN CUADRIPOLO LINEAL
	VI.1 Circuito equivalente, ganancia e impedancia de entrada y de salida del montaje BC
	VI.2 Circuito equivalente y características del montaje de EC
	VI.3 Circuito equivalente y características del montaje CC
	VI.4 Ejercicios

Capítulo VII: PARÁMETROS HÍBRIDOS Y SU MEDIDA LLAMADA “DINÁMICA”
	VII.1 Parámetros híbridos; su significación física y sus fórmulas de transformación
	VII.2 Medida dinámica de los parámetros
	VII.3 Ejercicios y trabajos prácticos

Capítulo VIII: CALDEO ACUMULATIVO DE LOS TRANSISTORES
	VIII.1 Corriente inversa; reacciones térmica e interna. Factor de estabilidad térmica. Derivada del punto de funcionamiento
	VIII.2 Caldeo acumulativo en clase A. Equilibrio térmico; estabilidad térmica y temperatura crítica
	VIII.3 Red de curvas universales. Predeterminación del factor de estabilidad máxima admisible que asegure el segundo margen térmico 123
	VIII.4 Primer margen térmico Θj, máx - Θj y potencia disipada directa límite

Capítulo IX: INSUFICIENCIAS DE LA TEORÍA CLÁSICA DEL CALENTAMIENTO ACUMULATIVO. MEDIDAS TÉRMICAS. PUNTO DE POLARIZACIÓN
	IX.1 Términos despreciados en el establecimiento de la teoría clásica del calentamiento acumulativo
	IX.2 Medidas térmicas simplificadas
	IX.3 Punto de polarización con fuente única, que permite obtener un punto de reposo y un factor de estabilidad térmica S dados
	IX.4 Otros valores límites que no se deben rebasar

Capítulo X: EJEMPLO NUMÉRICO DE LA PREDETERMINACIÓN DE LOS MÁRGENES TÉRMICOS Y DE LA DERIVA EN CLASE A
	X.1 Medidas y cálculos preliminares
	X.2 Trazado de la red universal con γ = 7850 y Θ0 = 25°. Determinación del factor de estabilidad térmica S. Trazado de la curva de calentamiento ζ(Θ) y verificación del primer margen térmico teórico: Θj, máx - Θj
	X.3 Cálculo del punto de polarización. Apreciación de los términos correctivos; verificación experimental
	X.4 Ejercicios y trabajos prácticos

Capítulo XI: MONTAJE SIMÉTRICO “PUSH-PUSH” CON VÁLVULAS DE VACÍO
	XI.1 Funcionamiento en clase A
	XI.2 Primario real, ficticio equivalente, corriente consumida por la válvula en otras clases que en la “A”
	XI.3 Funcionamiento en clase A1
	XI.4 Funcionamiento en clase AB
	XI.5 Polarización automática

Capítulo XII: MONTAJE SIMÉTRICO CON TRANSISTORES EN CLASE AB; CARGA POR TRANSFORMADOR CON PUNTO MEDIO
	XII.1 Potencia disipada directa Wd
	XII.2 Potencia disipada inversa; tercer margen térmico a respetar
	XII.3 Proyecto de amplificador “push-push” transistorizado

Capítulo XIII: PROYECTO DE UN PASO “PUSH-PUSH” TRANSISTORIZADO; EJEMPLO NUMERICO
	XIII.1 Cálculos preliminares
	XIII.2 Factor de estabilidad en funcionamiento. Cálculo de Re, trazado de la curva ζ(Θ) y verificación de los dos primeros márgenes térmicos
	XIII.3 Corrección de la tensión de soporte de base. Factor de estabilidad en reposo y verificación del tercer margen teórico. Cálculo del puente
	XIII.4 Medidas, diferencias y conclusiones
	XIII.5 Ejercicios y trabajos prácticos