دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Electronic Structure of Metal-Semiconductor Contacts
دانلود کتاب ساختار الکترونیکی تماس های فلزی نیمه هادی
مشخصات کتاب
Electronic Structure of Metal-Semiconductor Contacts
ویرایش: 1 نویسندگان: Winfried Mönch (auth.), Winfried Mönch (eds.) سری: Perspectives in Condensed Matter Physics 4 ISBN (شابک) : 9789401067805, 9789400906570 ناشر: Springer Netherlands سال نشر: 1990 تعداد صفحات: 301 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 28 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 37,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب ساختار الکترونیکی تماس های فلزی نیمه هادی: سطوح و رابط ها، لایه های نازک، شیمی فیزیک، مهندسی برق، فیزیک ماده متراکم
در صورت تبدیل فایل کتاب Electronic Structure of Metal-Semiconductor Contacts به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب ساختار الکترونیکی تماس های فلزی نیمه هادی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب ساختار الکترونیکی تماس های فلزی نیمه هادی
علوم رابط و سطح از همان ابتدا در توسعه فیزیک مجرای نیمه‌کانکتور مهم بوده است. مفاهیم دستگاه های مدرن نه تنها بر اساس اتصالات p-n، که رابط بین نواحی حاوی انواع مختلف مواد ناخالص هستند، نیستند، بلکه از ویژگی های الکترونیکی رابط های عایق نیمه هادی، اتصالات ناهمگون بین نیمه هادی های متمایز و کنتاکت های نیمه هادی فلزی بهره می برند. این دومی تقریباً در همان ابتدای فیزیک نیمه هادی در پایان قرن گذشته بود. خواص یکسو کنندگی کنتاکت های فلز-نیمه هادی برای اولین بار توسط براون در سال 1874 شرح داده شد. توضیح فیزیکی صحیحی از رسانش یک طرفه، همانطور که این انحراف از قانون اهم نامیده می شد، در آن زمان قابل ارائه نبود. یک پیش نیاز، نظریه کوانتومی ویلسون در مورد نیمه هادی های الکترونیکی بود که در سال 1931 منتشر کرد. چند سال بعد، در سال 1938، شاتکی سرانجام اصلاح در تماس های فلز-نیمه هادی توسط یک فضا را توضیح داد-
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Interface and surface science have been important in the development of semicon ductor physics right from the beginning on. Modern device concepts are not only based on p-n junctions, which are interfaces between regions containing different types of dopants, but take advantage of the electronic properties of semiconductor insulator interfaces, heterojunctions between distinct semiconductors, and metal semiconductor contacts. The latter ones stood almost at the very beginning of semi conductor physics at the end of the last century. The rectifying properties of metal-semiconductor contacts were first described by Braun in 1874. A physically correct explanation of unilateral conduction, as this deviation from Ohm's law was called, could not be given at that time. A prerequisite was Wilson's quantum theory of electronic semi-conductors which he published in 1931. A few years later, in 1938, Schottky finally explained the rectification at metal-semiconductor contacts by a space-
فهرست مطالب
Front Matter....Pages I-XII
Introduction....Pages 1-33
Ueber die Stromleilung dutch Schwefelmetalle....Pages 37-44
Zum Mechanismus der Richtwirkung in Kupferoxydulgleichrichtern....Pages 45-52
Halbleitertheorie der Sperrschicht....Pages 53-53
Note on The Contact Between a Metal and an Insular or Semi-Conductor....Pages 54-58
Abweichungen vom Ohmschen Gesetz in Halbleitern....Pages 59-62
Surface States and Rectification at a Metal Semi-Conductor Contact....Pages 63-73
Surface States and Barrier Height of Metal-Semiconductor Systems....Pages 74-82
Theory of Surface States....Pages 83-90
Fundamental Transition in The Electronic Nature of Solids....Pages 91-94
Density of states and barrier height of metal-Si contacts....Pages 95-104
Metal-semiconductor Junctions for (110) Surfaces of Zinc-blende Compounds....Pages 105-115
Electronic structure of a metal-semiconductor interface....Pages 116-124
Ionicity and the theory of Schottky barriers....Pages 125-133
Chemical trends in metal-semiconductor barrier heights....Pages 134-137
Transition in Schottky Barrier Formation with Chemical Reactivity....Pages 138-141
New and unified model for Schottky barrier and III-V insulator interface states formation....Pages 142-152
Schottky barriers: An effective work function model....Pages 154-156
The formation of the Schottky barrier at the V/Si interface a) ....Pages 157-160
Formation of Ultrathin Single-Crystal Silicide Films on Si: Surface and Interfacial Stabilization of Si-NiSi 2 Epitaxial Structures....Pages 161-164
Schottky Barrier Heights and the Continuum of Gap States....Pages 165-168
Schottky-Barrier Formation at Single-Crystal Metal-Semiconductor Interfaces....Pages 169-172
Reflection high-energy electron diffraction study of the growth of In on GaAs(110) at different temperatures....Pages 173-184
Direct variation of metai-GaAs schottKy barrier height by the influence of interface S, Se, and Te....Pages 185-187
Interface potential changes and Schottky barriers....Pages 188-190
Ruthenium-induced surface states on n -GaAs surfaces....Pages 191-198
Metallization and Scottky Contacts....Pages 199-201
On the Present Understanding of Schottky Contacts....Pages 202-223
Role of Virtual Gap States and Defects in Metal-Semiconductor Contacts....Pages 224-227
Initial stages of Schottky barrier formation: Temperature effects....Pages 228-232
Kinetics study of initial stage band bending at metal GaAs(110) interfaces....Pages 233-237
The Schottky Contact in a Xe/Metal Interface Probed by Inverse Photoemission....Pages 238-243
Origin of the Excess Capacitance at Intimate Schottky Contacts....Pages 244-247
Correlation between E F Pinning and Development of Metallic Character in Ag Overlayers on GaAs(ll0)....Pages 248-251
Direct Investigation of Subsurface Interface Electronic Structure by Ballistic-Electron-Emission Microscopy....Pages 252-255
Chemical trends in Schottky barriers: Charge transfer into adsorbate-induced gap states and defects....Pages 256-259
The advanced unified defect model for Schottky barrier formation....Pages 260-266
Screening and delocalization effects in Schottky barrier formation....Pages 267-274
Tight-Binding Model of Surface Donor-States Induced by Metal Adatoms on GaAs(llO) Surfaces....Pages 275-279
Switching of Band Bending at the Nonreactive CsO x /GaAs(l10) Interface....Pages 280-283
Metallicity and Gap States in Tunneling to Fe Ousters on GaAs(llO)....Pages 284-287
Back Matter....Pages 289-293
