ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Electronic States and Optical Transitions in Semiconductor Heterostructures

دانلود کتاب حالات الکترونیکی و انتقال نوری در ساختارهای ناهمسان نیمه هادی

Electronic States and Optical Transitions in Semiconductor Heterostructures

مشخصات کتاب

Electronic States and Optical Transitions in Semiconductor Heterostructures

ویرایش: 1 
نویسندگان: ,   
سری: Graduate Texts in Contemporary Physics 
ISBN (شابک) : 9781461268079, 9781461205357 
ناشر: Springer-Verlag New York 
سال نشر: 1999 
تعداد صفحات: 401 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 28 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 28,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب حالات الکترونیکی و انتقال نوری در ساختارهای ناهمسان نیمه هادی: مواد نوری و الکترونیکی



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 26


در صورت تبدیل فایل کتاب Electronic States and Optical Transitions in Semiconductor Heterostructures به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب حالات الکترونیکی و انتقال نوری در ساختارهای ناهمسان نیمه هادی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب حالات الکترونیکی و انتقال نوری در ساختارهای ناهمسان نیمه هادی



مطالعه ساختارهای ناهمسان نیمه هادی بیش از چهل سال پیش آغاز شد. در دهه 1980، این حوزه تحقیقاتی به خط مقدم فیزیک نیمه هادی ها تبدیل شد، عمدتاً به دلیل پیشرفت در فناوری های رشد که اکنون قادر به تولید لایه های فوق نازک (تا چند لایه تک لایه) از مواد نیمه هادی مختلف هستند. در دسترس بودن ساختارهایی با خواص تقریباً ایده آل و به خوبی کنترل شده، ساختارهای ناهمسان نیمه هادی را به زمینه آزمایشی برای فیزیک حالت جامد تبدیل کرده است. این ساختارها با گشودن امکانات جدیدی برای مطالعه الکترون‌های کم‌بعد، و همچنین خواص اتمی و الکترونیکی رابط‌ها، تأثیر عمیقی بر تحقیقات پایه در فیزیک نیمه‌رساناها گذاشته‌اند. ناهمسان‌ساختارهای نیمه‌رسانا نیز کاربردهای عملی مهمی دارند: آن‌ها پایه‌ای مادی برای تعدادی از دستگاه‌های جدید فراهم می‌کنند و همچنین راه را برای بهبود ویژگی‌های عملیاتی قطعات میکرو و اپتوالکترونیک سنتی باز می‌کنند. در نتیجه اهمیت فزاینده فیزیک ناهمسان، افراد بیشتری چه از مقطع تحصیلات تکمیلی و چه از سایر حوزه های تحقیقاتی وارد این رشته پویا می شوند. برای تازه واردان، به دلیل توسعه سریع این رشته و تقسیم فزاینده آن به زیرشاخه های متمایز، وظیفه آشنایی با حجم وسیع دانش موجود در مورد ساختارهای ناهمگن به یک چالش تبدیل شده است. حتی برای کسانی که قبلاً در یکی از حوزه‌های فیزیک ناهم‌ساختار کار می‌کنند، همگام شدن با پیشرفت‌ها در مناطق همسایه کار آسانی نیست. هدف این کتاب دسترسی بیشتر به فیزیک ناهمسان است.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The study of semiconductor heterostructures started more than forty years ago. In the 1980s this area of research moved to the forefront of semiconduc­ tor physics, largely due to progress in growth technologies which are now capable of producing ultrathin layers (up to a few monolayers) of different semiconductor materials. The availability of structures with nearly ideal, well-controlled properties has made semiconductor heterostructures a test­ ing ground for solid-state physics. These structures have had a profound impact on basic research in semiconductor physics by opening new possibil­ ities for studying low-dimensional electrons, as well as the atomic and elec­ tronic properties of interfaces. Semiconductor heterostructures have also a variety of important practical applications: they provide a material basis for a number of novel devices, and also open the way for improving the operating characteristics of traditional micro- and optoelectronic compo­ nents. As a result of the growing importance of heterostructure physics, more and more people are entering this dynamic field, either from graduate school or from other areas of research. For the new entrants, the task of familiariz­ ing themselves with the vast body of existing knowledge about heterostruc­ tures has become quite a challenge, due to the rapid development of the field and its increasing subdivision into distinct subfields. Even for those who already work in one area of heterostructure physics, keeping up with the developments in neighboring areas is not an easy task. The purpose of this book is to make heterostructure physics more accessible.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-vii
Introduction....Pages 1-3
Electronic Structure of Abrupt Heterojunctions....Pages 5-33
Electrons in Low-Dimensional Structures....Pages 35-67
Tunneling in Heterostructures....Pages 69-96
Impurity States and Excitons in Heterostructures....Pages 97-120
Interband Optical Transitions in Heterostructures....Pages 121-153
Radiative Processes in Heterostructures....Pages 155-180
Scattering of Light on Low-Dimensional Electrons....Pages 181-202
Intersubband Optical Transitions....Pages 203-236
Nonlinear Optics of Heterostructures....Pages 237-259
Ultrafast Processes in Heterostructures....Pages 261-290
Heterostructure-Based Optoelectronic Devices....Pages 291-320
Back Matter....Pages 321-401




نظرات کاربران