Electronic Properties of Multilayers and Low-Dimensional Semiconductor Structures

این موسسه مطالعاتی پیشرفته در مورد ویژگی‌های الکترونیکی ساختارهای نیمه‌رسانای چندلایه و کم‌بعد، بر روی چندین مورد از فعال‌ترین حوزه‌ها در فیزیک نیمه‌رساناهای مدرن تمرکز کرده است. اینها شامل پدیده های تونل زنی و ابرشبکه رزونانس و موضوعات حمل و نقل بالستیک، رسانایی کوانتیزه شده و اثرات مقاومت مغناطیسی غیرعادی در سیستم های الکترونی دوبعدی با دروازه جانبی بود. اگرچه تأکید اصلی بر فیزیک بنیادی بود، یک سری از سخنرانی‌های حمایتی، فناوری زیربنایی (Epitaxy پرتو مولکولی، رسوب بخار شیمیایی فلزی-آلی، لیتوگرافی پرتو الکترونی و سایر فناوری‌های پردازش پیشرفته) را توصیف کردند. کاربردهای واقعی و بالقوه ساختارهای کم‌بعد در دستگاه‌های نوری و فرکانس بالا نیز مورد بحث قرار گرفت. ASI به شکل مجموعه ای از سخنرانی ها به مدت حدود پنجاه دقیقه بود که توسط محققان ارشد از طیف وسیعی از کشورها ارائه شد. بیشتر سخنرانی ها در این مجموعه مقالات ثبت شده است. اعضای جوان‌تر مؤسسه سهم عمده‌ای را در جلسات بحث پس از هر سخنرانی داشتند و علاوه بر این، بیشتر پنجاه و پنج مقاله را که در دو جلسه پوستر پر جنب و جوش ارائه شده بود، ارائه کردند. ASl بر روش چشمگیر این حوزه تحقیقاتی از طریق تعامل پربار تئوری، آزمایش و فناوری دستگاه های نیمه هادی توسعه یافته است. بسیاری از گفتگوها هم اثربخشی و هم محدودیت‌های مفاهیم نیمه کلاسیک را در توصیف پدیده‌های کوانتومی نشان‌داده‌شده توسط الکترون‌ها در ساختارهای با ابعاد پایین نشان دادند.

This Advanced Study Institute on the Electronic Properties of Multilayers and Low Dimensional Semiconductor Structures focussed on several of the most active areas in modern semiconductor physics. These included resonant tunnelling and superlattice phenomena and the topics of ballistic transport, quantised conductance and anomalous magnetoresistance effects in laterally gated two-dimensional electron systems. Although the main emphasis was on fundamental physics, a series of supporting lectures described the underlying technology (Molecular Beam Epitaxy, Metallo-Organic Chemical Vapour Deposition, Electron Beam Lithography and other advanced processing technologies). Actual and potential applications of low dimensional structures in optoelectronic and high frequency devices were also discussed. The ASI took the form of a series of lectures of about fifty minutes' duration which were given by senior researchers from a wide range of countries. Most of the lectures are recorded in these Proceedings. The younger members of the Institute made the predominant contribution to the discussion sessions following each lecture and, in addition, provided most of the fifty-five papers that were presented in two lively poster sessions. The ASl emphasised the impressive way in which this research field has developed through the fruitful interaction of theory, experiment and semiconductor device technology. Many of the talks demonstrated both the effectiveness and limitations of semiclassical concepts in describing the quantum phenomena exhibited by electrons in low dimensional structures.