ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Electronic Properties of Doped Semiconductors

دانلود کتاب خواص الکترونیکی نیمه هادی های دوتایی

Electronic Properties of Doped Semiconductors

مشخصات کتاب

Electronic Properties of Doped Semiconductors

دسته بندی: فیزیک
ویرایش: 1 
نویسندگان: ,   
سری: Springer Series in Solid-State Sciences 45 
ISBN (شابک) : 0387129952, 9783540129950 
ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg 
سال نشر: 1984 
تعداد صفحات: 395 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 11 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 30,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب خواص الکترونیکی نیمه هادی های دوتایی: فیزیک ماده متراکم، اپتیک، اپتوالکترونیک، پلاسمونیک و دستگاه های نوری



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 7


در صورت تبدیل فایل کتاب Electronic Properties of Doped Semiconductors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب خواص الکترونیکی نیمه هادی های دوتایی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب خواص الکترونیکی نیمه هادی های دوتایی



نسل اول نیمه هادی ها را نمی توان به درستی "دوپ شده" نامید - آنها به سادگی بسیار ناخالص بودند. ناخالصی های کنترل نشده مانع از کشف قوانین فیزیکی می شد، محققان را گیج می کرد و بدبینی و تمسخر را در طرفداران رشته های فیزیکی "ناب" در حال رشد ایجاد می کرد. حذف نهایی \"کثافت\" نوید دهنده عصر جدیدی در فیزیک نیمه هادی ها بود، عصری که شعار "پاکیت" را داشت. این دوره بود که موفقیت های دهه 1950 را به همراه داشت و فناوری جدیدی را به وجود آورد. آزمایش‌ها با کریستال‌های خالص، محرک قدرتمندی برای توسعه نظریه نیمه‌رساناها بود. روش‌ها و نظریه‌های جدیدی توسعه و آزمایش شدند: روش جرم مؤثر برای نوارهای پیچیده، نظریه حالت‌های ناخالصی، و نظریه پدیده‌های جنبشی. این پیشرفت‌ها چیزی را تشکیل می‌دهند که امروزه به عنوان فیزیک نیمه‌رساناها شناخته می‌شود. با این حال، در پانزده سال گذشته، تغییر محسوسی به سمت نیمه‌هادی‌های ناخالص صورت گرفته است - تغییری که به این دلیل اتفاق افتاد که دقیقاً ناخالصی‌ها هستند که برای تعدادی از دستگاه های نیمه هادی اصلی فناوری به نیمه هادی های ناخالص نیاز دارد، که بر خلاف اقلام نسل اول، به جای «ناخالص»، «دوپ شده» نامیده می شوند تا نشان دهند که اکنون می توان سطوح ناخالصی را تا حدی کنترل کرد.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

First-generation semiconductors could not be properly termed "doped- they were simply very impure. Uncontrolled impurities hindered the discovery of physical laws, baffling researchers and evoking pessimism and derision in advocates of the burgeoning "pure" physical disciplines. The eventual banish­ ment of the "dirt" heralded a new era in semiconductor physics, an era that had "purity" as its motto. It was this era that yielded the successes of the 1950s and brought about a new technology of "semiconductor electronics". Experiments with pure crystals provided a powerful stimulus to the develop­ ment of semiconductor theory. New methods and theories were developed and tested: the effective-mass method for complex bands, the theory of impurity states, and the theory of kinetic phenomena. These developments constitute what is now known as semiconductor phys­ ics. In the last fifteen years, however, there has been a noticeable shift towards impure semiconductors - a shift which came about because it is precisely the impurities that are essential to a number of major semiconductor devices. Technology needs impure semiconductors, which unlike the first-generation items, are termed "doped" rather than "impure" to indicate that the impurity levels can now be controlled to a certain extent.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages I-XII
Front Matter....Pages 1-1
The Structure of Isolated Impurity States....Pages 2-24
Localization of Electronic States....Pages 25-51
The Structure of the Impurity Band for Lightly Doped Semiconductors....Pages 52-73
A General Description of Hopping Conduction in Lightly Doped Semiconductors....Pages 74-93
Percolation Theory....Pages 94-136
Dependence of Hopping Conduction on the Impurity Concentration and Strain in the Crystal....Pages 137-154
Hopping Conduction in a Magnetic Field....Pages 155-179
Activation Energy for Hopping Conduction....Pages 180-201
Variable-Range Hopping Conduction....Pages 202-227
Correlation Effects on the Density of States and Hopping Conduction....Pages 228-251
Front Matter....Pages 253-254
Electronic States in Heavily Doped Semiconductors....Pages 255-267
The Density-of-States Tail and Interband Light Absorption....Pages 268-294
The Theory of Heavily Doped and Highly Compensated Semiconductors (HDCS)....Pages 295-313
Front Matter....Pages 315-315
Modelling the Impurity Band of a Lightly Doped Semiconductor and Calculating the Electrical Conductivity....Pages 316-352
Back Matter....Pages 353-393




نظرات کاربران