Electrical Resistivity of Thin Metal Films

هدف این کتاب ارائه یک بررسی واقعی در مورد مقاومت لایه های نازک فلزی و نیمه هادی است که با گازها برهم کنش دارند. ما در مورد تأثیر مواد بستر و عملیات بازپخت لایه‌ها بحث می‌کنیم، داده‌های تجربی خود و همچنین مدل‌های نظری را برای محاسبه مقطع پراکندگی الکترون‌های رسانش در چارچوب فرضیه پراکندگی ارائه می‌کنیم. تاکید اصلی بر مقایسه فیلم‌های طلا و نقره است که تقریباً ساختار شبکه‌ای مشابهی دارند اما در فعالیت شیمیایی متفاوت هستند. در نتیجه، مهم‌ترین مقدار برای تفسیر، سطح شارژ z است، در حالی که همبستگی با داده‌های نوری یا ارتعاشات مادون قرمز ناامید شده، به نظر می‌رسد که ویژگی ماده خاص‌تری را نشان می‌دهد. Z را می توان بر اساس فرمالیسم تابعی چگالی یا تقریب میدان خودسازگار با استفاده از تحلیل جمعیت مولیکن محاسبه کرد.

The aim of the book is to give an actual survey on the resistivity of thin metal and semiconductor films interacting with gases. We discuss the influence of the substrate material and the annealing treatment of the films, presenting our experimental data as well as theoretical models to calculate the scattering cross section of the conduction electrons in the frame-work of the scattering hypothesis. Main emphasis is laid on the comparison of gold and silver films which exhibit nearly the same lattice structure but differ in their chemical activity. In conclusion, the most important quantity for the interpretation is the surface charging z while the correlation with the optical data or the frustrated IR vibrations seems the show a more material-specific character. Z can be calculated on the basis of the density functional formalism or the self-consistent field approximation using Mulliken’s population analysis.