دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Electrical Properties of Indium Arsenide Nanowires and Their Field-Effect Transistors
دانلود کتاب خواص الکتریکی نانوسیم های آرسنید ایندیوم و ترانزیستورهای اثر میدانی آنها
مشخصات کتاب
Electrical Properties of Indium Arsenide Nanowires and Their Field-Effect Transistors
ویرایش: 1st ed.
نویسندگان: Mengqi Fu
سری: Springer Theses
ISBN (شابک) : 9789811334436, 9789811334443
ناشر: Springer Singapore
سال نشر: 2018
تعداد صفحات: 113
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 6 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 36,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب خواص الکتریکی نانوسیم های آرسنید ایندیوم و ترانزیستورهای اثر میدانی آنها: فیزیک، علوم و فناوری در مقیاس نانو، فناوری نانو و مهندسی میکرو، نیمه رساناها، شناسایی و ارزیابی مواد، مدارها و دستگاه های الکترونیکی، مواد نوری و الکترونیکی
در صورت تبدیل فایل کتاب Electrical Properties of Indium Arsenide Nanowires and Their Field-Effect Transistors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب خواص الکتریکی نانوسیم های آرسنید ایندیوم و ترانزیستورهای اثر میدانی آنها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب خواص الکتریکی نانوسیم های آرسنید ایندیوم و ترانزیستورهای اثر میدانی آنها
این کتاب تأثیر پارامترهای مهم مواد بر خواص الکتریکی نانوسیم‌های آرسنید ایندیم (InAs) را بررسی می‌کند که به دلیل کوچک بودن، یک ماده کانالی امیدوارکننده را برای دستگاه‌های الکترونیکی کم مصرف ارائه می‌کند. شکاف باند و تحرک الکترون بالا. به منظور کاهش مقیاس دستگاه های الکترونیکی و بهبود عملکرد آنها به نانوسیم های با قطر کمتر نیاز است. با این حال، تا به امروز خواص نانوسیم های نازک InAs و حساسیت آنها به عوامل مختلف شناخته نشده است.
این کتاب اولین مطالعه را در مورد نانوسیم‌های InAs بسیار نازک با قطر کمتر از 10 نانومتر ارائه می‌کند که برای اولین بار، کانال را در ترانزیستورهای اثر میدانی (FETs) و ارتباط بین قطر نانوسیم و عملکرد دستگاه ایجاد می‌کند. علاوه بر این، یک روش جدید برای ارتباط مستقیم ساختار سطح اتمی با خواص نانوسیم‌های مجزا و عملکرد دستگاه آنها توسعه می‌دهد. با استفاده از این روش، خواص الکترونیکی نانوسیم‌های InAs و عملکرد FETهایی که در آنها استفاده می‌شوند، با فازهای کریستالی (وورتزیت، مخلوط روی یا فاز مخلوط)، جهت محور و روش رشد تغییر می‌کنند. این یافته‌ها درک ما را از نانوسیم‌های InAs عمیق‌تر می‌کند و با کنترل پارامترهای مربوطه نانوسیم‌ها و دستگاه‌ها، راهی بالقوه برای تنظیم عملکرد دستگاه ارائه می‌کند.توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
This book explores the impacts of important material parameters on the electrical properties of indium arsenide (InAs) nanowires, which offer a promising channel material for low-power electronic devices due to their small bandgap and high electron mobility. Smaller diameter nanowires are needed in order to scale down electronic devices and improve their performance. However, to date the properties of thin InAs nanowires and their sensitivity to various factors were not known.
The book presents the first study of ultrathin InAs nanowires with diameters below 10 nm are studied, for the first time, establishing the channel in field-effect transistors (FETs) and the correlation between nanowire diameter and device performance. Moreover, it develops a novel method for directly correlating the atomic-level structure with the properties of individual nanowires and their device performance. Using this method, the electronic properties of InAs nanowires and the performance of the FETs they are used in are found to change with the crystal phases (wurtzite, zinc-blend or a mix phase), the axis direction and the growth method. These findings deepen our understanding of InAs nanowires and provide a potential way to tailor device performance by controlling the relevant parameters of the nanowires and devices.فهرست مطالب
Front Matter ....Pages i-xv
Introduction (Mengqi Fu)....Pages 1-29
Fabrication, Characterization and Parameter Extraction of InAs Nanowire-Based Device (Mengqi Fu)....Pages 31-51
The Impact of Quantum Confinement Effects on Electrical Properties of InAs Nanowires (Mengqi Fu)....Pages 53-63
Influence of Crystal Phase and Orientation on Electrical Properties of InAs Nanowires (Mengqi Fu)....Pages 65-84
Influence of Different Growth Methods on the Electrical Properties of InAs Nanowires (Mengqi Fu)....Pages 85-96
Summary and Outlook (Mengqi Fu)....Pages 97-98
Back Matter ....Pages 99-102
