Einstein's Photoemission: Emission from Heavily-Doped Quantized Structures

این مونوگراف صرفاً به بررسی تابش نور انیشتین (EP) از ساختارهای کوانتیزه شده با دوپ شدید (HD) بر اساس قوانین جدید پراکندگی الکترون می‌پردازد. مواد در نظر گرفته شده ساختارهای کوانتیزه شده از نوری غیرخطی HD، III-V، II-VI، Ge، Te، آنتیمونید پلاتین، مواد تنش، GaP، گالیوم آنتیموناید، II-V، بیسموت تلوراید همراه با انواع مختلف سوپرشبکه های HD و همتایان کوانتیزه شده آنها به ترتیب. EP در مواد نوری-الکترونیکی HD و نانوساختارهای آنها در حضور امواج نور قوی و میدان‌های الکتریکی شدید که مطالعات چنین دستگاه‌های اثر کوانتومی را کنترل می‌کنند، مورد مطالعه قرار می‌گیرد. پیشنهادات برای تعیین تجربی مقادیر مختلف فیزیکی مهم در مواد HD 2D و 3D و اهمیت اندازه‌گیری شکاف باند در مواد نوری HD تحت میدان الکتریکی داخلی شدید در دستگاه‌های نانو و تحریک عکس خارجی قوی (برای اندازه‌گیری خواص فیزیکی در وجود امواج نور شدید که طیف انرژی الکترون را تغییر می دهد) نیز در این زمینه مورد بحث قرار گرفته است. تأثیر میدان مغناطیسی کوانتیزاسیون، بر روی EP ساختارهای کوانتیزه HD مختلف (چاه های کوانتومی، ابرشبکه های HD چاه کوانتومی و ساختارهای نیپی) تحت شرایط فیزیکی مختلف بررسی شده است. این مونوگراف شامل 100 مسئله تحقیقاتی باز است که بخش جدایی ناپذیر متن را تشکیل می دهد و هم برای داوطلبان دکتری و هم برای محققین در زمینه های علم مواد، فیزیک ماده متراکم، علوم حالت جامد، علوم و فناوری نانو و زمینه های مرتبط مفید است. علاوه بر دوره های تحصیلات تکمیلی نانوساختارهای نیمه هادی مدرن ارائه شده در دانشگاه ها و موسسات مختلف.

This monograph solely investigates the Einstein's Photoemission(EP) from Heavily Doped(HD) Quantized Structures on the basis of newly formulated electron dispersion laws. The materials considered are quantized structures of HD non-linear optical, III-V, II-VI, Ge, Te, Platinum Antimonide, stressed materials, GaP, Gallium Antimonide, II-V, Bismuth Telluride together with various types of HD superlattices and their Quantized counterparts respectively. The EP in HD opto-electronic materials and their nanostructures is studied in the presence of strong light waves and intense electric fields that control the studies of such quantum effect devices. The suggestions for the experimental determinations of different important physical quantities in HD 2D and 3D materials and the importance of measurement of band gap in HD optoelectronic materials under intense built-in electric field in nano devices and strong external photo excitation (for measuring physical properties in the presence of intense light waves which alter the electron energy spectra) have also been discussed in this context. The influence quantizing magnetic field, on the EP of the different HD quantized structures (quantum wells, quantum well HD superlattices and nipi structures) under different physical conditions has been investigated. This monograph contains 100 open research problems which form the integral part of the text and are useful for both Ph.D aspirants and researchers in the fields of materials science, condensed matter physics, solid-state sciences, nano-science and technology and allied fields in addition to the graduate courses in modern semiconductor nanostructures offered in different Universities and Institutes.