دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: Viktor Sergeevich Vavilov (auth.)
سری:
ISBN (شابک) : 9781489927224, 9781489927200
ناشر: Springer US
سال نشر: 1965
تعداد صفحات: 235
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 7 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب اثرات تشعشع بر نیمه هادی ها: فیزیک حالت جامد، طیف سنجی و میکروسکوپ
در صورت تبدیل فایل کتاب Effects of Radiation on Semiconductors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب اثرات تشعشع بر نیمه هادی ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
اثرات تابش الکترومغناطیسی و ذرات پر انرژی بر روی نیمه هادی ها را می توان به دو فرآیند اصلی تقسیم کرد: (الف) تحریک الکترون ها (مورد خاص یونیزاسیون داخلی است، به عنوان مثال، تولید حامل های بار اضافی). و (ب) اختلال در ساختار تناوبی کریستال، i. ه. به طور طبیعی، بررسی اثرات تابش بر نیمه هادی ها را نمی توان به صورت مجزا در نظر گرفت. بنابراین، برای مثال، مشکل \"عیوب تشعشع\" بخشی از مشکل عمومی عیوب شبکه کریستالی و تأثیر چنین عیوب بر فرآیندهای رخ داده در نیمه هادی ها است. همین امر در مورد فوتوالکتریک و پدیده های مشابه که در آن عمل تابش تنها شروع یک زنجیره پیچیده از فرآیندهای الکترونی غیرتعادلی است، صادق است. با این وجود، بهویژه از دیدگاه فیزیکدان تجربی، اثرات تشعشع مورد بحث در کتاب حاضر ویژگیهای جالبی دارند: چندین نوع تابش ممکن است نتیجه یکسانی ایجاد کند (مثلاً یونیزاسیون توسط فوتونها و ذرات باردار) یا یک نوع تابش ممکن است اثرات متعددی ایجاد کند (یونیزاسیون و تشعشع - تشکیل نقص). هدف نویسنده بررسی معمولی ترین مسائل بود. موضوعات مورد بحث در میزان بررسی شده با یکدیگر بسیار متفاوت است.
The effects of electromagnetic radiation and high-energy par ticles on semiconductors can be divided into two main processes: (a) the excitation of electrons (the special case is internal ioniza tion, i. e. , the generation of excess charge carriers); and(b) dis turbance of the periodic structure of the crystal, i. e. , the forma tion of "structural radiation defects. " Naturally, investigations of the effects of radiation on semiconductors cannot be considered in isolation. Thus, for example, the problern of "radiation de fects" is part of the generalproblern of crystal lattice defects and the influence of such defects on the processes occurring in semi conductors. The same is true of photoelectric and similar phe nomena where the action of the radiation is only the start of a complex chain of nonequilibrium electronprocesses. Nevertheless, particularly from the point of view of the experimental physicist, the radiation effects discussed in the present book have inter esting features: several types of radiation may produce the same resul t (for example, ionization by photons and by charged particles) or one type of radiation may produce several effects (ionization and radiation -defect formation). The aim of the author was to consider the most typical prob lems. The subjects discussed differ widely from one another in the extent to which they have been investigated.
Front Matter....Pages i-xi
Absorption of Light by Semiconductors....Pages 1-40
Photoionization and Photoconductivity in Semiconductors....Pages 41-89
Ionization of Semiconductors by Charged High-Energy Particles....Pages 90-110
Radiative Recombination in Semiconductors; Possibility of the Amplification and Generation of Light Using Semiconductors....Pages 111-140
Changes in the Properties of Semiconductors Due to Bombardment with Fast Electrons, Gamma Rays, Neutrons, and Heavy Charged Particles....Pages 141-207
Back Matter....Pages 209-225