دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Effect of Disorder and Defects in Ion-Implanted Semiconductors: Electrical and Physicochemical Characterization
دانلود کتاب تأثیر اختلال و نقص در نیمه هادی های کاشته شده با یون: خصوصیات الکتریکی و فیزیکوشیمیایی
مشخصات کتاب
Effect of Disorder and Defects in Ion-Implanted Semiconductors: Electrical and Physicochemical Characterization
ویرایش:
نویسندگان: Gerard Ghibaudo and Constantinos Christofides (Eds.)
سری: Semiconductors and Semimetals 45
ISBN (شابک) : 0127521453, 9780127521459
ناشر: Academic Press
سال نشر: 1997
تعداد صفحات: 321
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 14 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 44,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Effect of Disorder and Defects in Ion-Implanted Semiconductors: Electrical and Physicochemical Characterization به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب تأثیر اختلال و نقص در نیمه هادی های کاشته شده با یون: خصوصیات الکتریکی و فیزیکوشیمیایی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب تأثیر اختلال و نقص در نیمه هادی های کاشته شده با یون: خصوصیات الکتریکی و فیزیکوشیمیایی
نقص در نیمه هادی های کاشته شده با یون مهم است و احتمالاً در آینده اهمیت بیشتری پیدا خواهد کرد زیرا دمای بازپخت با نسل های متوالی IC کاهش می یابد. روش‌های جدید ایمپلنت، مانند کاشت MdV، انواع جدیدی از عیوب را ایجاد می‌کند که منشأ و ویژگی‌های بازپختی آنها باید بررسی شود. انتشارات در این زمینه عمدتا بر روی اثرات کاشت یون بر روی مواد و اصلاح در لایه کاشته شده پس از بازپخت دمای بالا تمرکز دارند. مروری بر تکنیک‌های توصیف و مقایسه انتقادی اطلاعات در مورد سینتیک بازپخت نیز ارائه شده است. ویژگی های کلیدی* ارائه دانش اولیه در مورد عیوب ناشی از کاشت یون * تمرکز بر مکانیسم های فیزیکی بازپخت نقص * از ابزارهای مشخصه الکتریکی و فیزیکی و شیمیایی برای نیمه هادی های فرآوری شده استفاده می کند * مبنای درک مشکلات ناشی از نقص های ایجاد شده توسط کاشت و ابزار را فراهم می کند. برای شخصیت پردازی و حذف آنها
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Defects in ion-implanted semiconductors are important and will likely gain increased importance in the future as annealing temperatures are reduced with successive IC generations. Novel implant approaches, such as MdV implantation, create new types of defects whose origin and annealing characteristics will need to be addressed. Publications in this field mainly focus on the effects of ion implantation on the material and the modification in the implanted layer afterhigh temperature annealing.Electrical and Physicochemical Characterization focuses on the physics of the annealing kinetics of the damaged layer. An overview of characterization tehniques and a critical comparison of the information on annealing kinetics is also presented. Key Features* Provides basic knowledge of ion implantation-induced defects* Focuses on physical mechanisms of defect annealing* Utilizes electrical and physico-chemical characterization tools for processed semiconductors* Provides the basis for understanding the problems caused by the defects generated by implantation and the means for their characterization and elimination
فهرست مطالب
Content:
Volume Editors
Page iii
Copyright page
Page iv
List of Contributors
Pages xi-xii
Foreword
Pages xiii-xvi
Gérard Ghibaudo
Preface
Pages xvii-xix
Chapter 1 Ion Implantation into Semiconductors: Historical Perspectives Original Research Article
Pages 1-29
Heiner Ryssel
Chapter 2 Electronic Stopping Power for Energetic Ions in Solids Original Research Article
Pages 31-54
You-Nian Wang, Teng-Cai Ma
Chapter 3 Solid Effect on the Electronic Stopping of Crystalline Target and Application to Range Estimation Original Research Article
Pages 55-84
Sachiko T. Nakagawa
Chapter 4 Ion Beams in Amorphous Semiconductor Research Original Research Article
Pages 85-127
G. Mütter, S. Kalbitzer, G.N. Greaves
Chapter 5 Sheet and Spreading Resistance Analysis of Ion Implanted and Annealed Semiconductors Original Research Article
Pages 129-163
Jumana Boussey-Said
Chapter 6 Studies of the Stripping Hall Effect in Ion-Implanted Silicon Original Research Article
Pages 165-194
M.L. Polignano, G. Queirolo
Chapter 7 Transmission Electron Microscopy Analyses Original Research Article
Pages 195-238
J. Stoemenos
Chapter 8 Rutherford Backscattering Studies of Ion Implanted Semiconductors Original Research Article
Pages 239-260
Roberta Nipoti, Marco Servidori
Chapter 9 X-Ray Diffraction Techniques Original Research Article
Pages 261-282
P. Zaumseil
Index
Pages 283-286
نظرات کاربران
کتاب های تصادفی
دانلود کتاب Marketing Revolution: The Radical New Approach to Transforming the Business, the Brand & the Bottom Line
دانلود کتاب Naturheilverfahren und Unkonventionelle Medizinische Richtungen
دانلود کتاب Lincoln Memorial: The Story and Design of an American Monument
