دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش:
نویسندگان: RONALD A. POWELL (Eds.)
سری: Materials Processing: Theory and Practices 4
ISBN (شابک) : 9780444869050
ناشر: Elsevier Science Ltd
سال نشر: 1984
تعداد صفحات: 306
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 21 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Dry Etching for Microelectronics به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب حکاکی خشک برای میکروالکترونیک نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این جلد برای اولین بار مجموعه ای از بررسی های عمیق و انتقادی از موضوعات مهم در اچینگ خشک، مانند پردازش خشک نیمه هادی های مرکب III-V، حکاکی خشک سیلیسیدهای فلزات نسوز و حکاکی خشک آلومینیوم و آلیاژهای آلومینیوم را گردآوری می کند. این قالب موضوعی اطلاعات و مراجع تخصصی بیشتری نسبت به یک مقاله مروری کلی در اختیار خواننده قرار می دهد. علاوه بر این، دیدگاه گسترده ای را ارائه می دهد که در غیر این صورت باید با خواندن تعداد زیادی از مقالات تحقیقاتی فردی به دست آید. یکی دیگر از ویژگی های مهم و منحصر به فرد این کتاب گنجاندن یک مرور ادبیات گسترده از پردازش خشک است که با جستجو در پایگاه های داده کامپیوتری گردآوری شده است. یک نمایه موضوعی امکان دسترسی آسان به نکات کلیدی مطرح شده در هر یک از فصل ها را فراهم می کند
This volume collects together for the first time a series of in-depth, critical reviews of important topics in dry etching, such as dry processing of III-V compound semiconductors, dry etching of refractory metal silicides and dry etching aluminium and aluminium alloys. This topical format provides the reader with more specialised information and references than found in a general review article. In addition, it presents a broad perspective which would otherwise have to be gained by reading a large number of individual research papers. An additional important and unique feature of this book is the inclusion of an extensive literature review of dry processing, compiled by search of computerized data bases. A subject index allows ready access to the key points raised in each of the chapters
Content:
Front Matter
Page iii
Copyright page
Page iv
Introduction to the Series
Page v
Franklin F.Y. WANG
Previous Volumes in the Series
Page vi
Preface to Volume 4
Pages vii-ix
Ronald A. POWELL
Advisory Board
Page x
CHAPTER 1 - Plasma-Assisted Etching of Aluminum and Aluminum Alloys
Pages 1-38
DENNIS W. HESS, RICHARD H. BRUCE
CHAPTER 2 - Plasma Etching of Refractory Gates of Metals, Silicides and Nitrides
Pages 39-77
T. PAUL CHOW, A.N. SAXENA, L.M. EPHRATH, R.S. BENNETT
CHAPTER 3 - Dry Etching of Group III-Group V Compound Semiconductors
Pages 79-112
RANDOLPH H. BURTON, RICHARD A. GOTTSCHO, GERALD SMOLINSKY
CHAPTER 4 - Reactive Ion Beam Etching
Pages 113-214
R.A. POWELL, D.F. DOWNEY
CHAPTER 5 - Dry Etching for Microelectronics-A Bibliography
Pages 215-294
L.C. MOLIERI
Subject Index
Pages 295-299