دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: الکترونیک ویرایش: نویسندگان: Dennis Meier, Jan Seidel, Marty Gregg, Ramamoorthy Ramesh سری: Series on Semiconductor Science and Technology ISBN (شابک) : 9780198862499, 0198862490 ناشر: Oxford University Press سال نشر: 2020 تعداد صفحات: 363 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 12 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Domain Walls: From Fundamental Properties to Nanotechnology Concepts به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب Domain Walls: از خصوصیات اساسی گرفته تا مفاهیم فناوری نانو نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
تکامل و انقلاب تکنولوژیک هر دو ناشی از کشف قابلیتهای جدید، مواد جدید و طراحی اجزای کوچکتر، سریعتر و کم مصرفتر است. پیشرفت با سرعتی خیره کننده به دلیل تقاضای رو به رشد سریع برای فناوری اطلاعات قدرتمندتر و در دسترس تر، در حال انجام است. اینترنت پرسرعت و جریان داده، اتوماسیون خانگی، تبلتها و گوشیهای هوشمند اکنون «نیازهای» زندگی روزمره ما هستند. به نظر می رسد انتظارات مصرف کنندگان برای ذخیره سازی و تبادل اطلاعات بیشتر سیری ناپذیر است. الکترونیک اکسید یک زمینه امیدوارکننده و نسبتا جدید است که پتانسیل ایجاد پیشرفت های عمده در فناوری اطلاعات را دارد. رابط های اکسید به ویژه جذاب هستند. در اینجا، تقارن موضعی کم همراه با افزایش حساسیت به میدانهای خارجی منجر به خواص فیزیکی غیرعادی متمایز از خواص توده همگن میشود. در این زمینه، دیوارهای دامنه فروئیک به عنوان یک نوع کاملاً جدید رابط اکسید توجه اخیر را به خود جلب کرده است. این دیوارها علاوه بر ویژگیهای عملکردی، از نظر فضایی متحرک هستند و میتوانند در صورت نیاز ایجاد، جابجا و پاک شوند. این درجه انعطافپذیری منحصر به فرد، دیوارهای دامنه را قادر میسازد تا نقش فعالی در دستگاههای آینده داشته باشند و پتانسیل زیادی به عنوان سیستمهای دو بعدی چند منظوره برای نانوالکترونیک داشته باشند. با استفاده از دیوارهای دامنه به عنوان اجزای الکترونیکی دوبعدی قابل تنظیم مجدد، نسل جدیدی از فناوری نانو تطبیقی و مدارهای انعطاف پذیر امکان پذیر می شود که می توانند در طول عمر دستگاه تغییر و ارتقا داده شوند. بنابراین، آنچه که به عنوان تحقیقات بنیادی آغاز شد، در حد دسترسی، در نهایت در حال تبدیل شدن به یک مفهوم امیدوارکننده برای فناوری نسل بعدی است.
Technological evolution and revolution are both driven by the discovery of new functionalities, new materials and the design of yet smaller, faster, and more energy-efficient components. Progress is being made at a breathtaking pace, stimulated by the rapidly growing demand for more powerful and readily available information technology. High-speed internet and data-streaming, home automation, tablets and smartphones are now "necessities" for our everyday lives. Consumer expectations for progressively more data storage and exchange appear to be insatiable. Oxide electronics is a promising and relatively new field that has the potential to trigger major advances in information technology. Oxide interfaces are particularly intriguing. Here, low local symmetry combined with an increased susceptibility to external fields leads to unusual physical properties distinct from those of the homogeneous bulk. In this context, ferroic domain walls have attracted recent attention as a completely new type of oxide interface. In addition to their functional properties, such walls are spatially mobile and can be created, moved, and erased on demand. This unique degree of flexibility enables domain walls to take an active role in future devices and hold a great potential as multifunctional 2D systems for nanoelectronics. With domain walls as reconfigurable electronic 2D components, a new generation of adaptive nano-technology and flexible circuitry becomes possible, that can be altered and upgraded throughout the lifetime of the device. Thus, what started out as fundamental research, at the limit of accessibility, is finally maturing into a promising concept for next-generation technology.
Title_Pages Preface Physical_Properties_inside_Domain_WallsBasic_Principles_and_Scanning_Probe_Measurements Novel_Phases_at_Domain_Walls FirstPrinciples_Studies_of_Structural_Domain_Walls Fundamental_Properties_of_Ferroelectric_Domain_Walls_from_GinzburgLandau_Models Introduction_to_Domain_Boundary_Engineering Improper_Ferroelectric_Domain_Walls ThreeDimensional_Optical_Analysis_of_Ferroelectric_Domain_Walls Turing_Patterns_in_Ferroelectric_Domains_Nonlinear_Instabilities Photoelectric_Effects_at_Domain_Walls Transmission_Electron_Microscopy_Study_of_Ferroelectric_Domain_Walls_in_BiFeO3_Thin_Films_Structures_and_Switching_Dynamics Nanoscale_Ferroelectric_Switching_A_Method_to_Inject_and_Study_Nonequilibrium_Domain_Walls LandauGinzburgDevonshire_Theory_for_Domain_Wall_Conduction_and_Observation_of_Microwave_Conduction_of_Domain_Walls Control_of_Ferroelectric_Domain_Wall_Motion_using_Electrodes_with_Limited_Conductivity Multiscale_Simulations_of_Domains_in_Ferroelectrics Electronics_Based_on_Domain_Walls Index