Dispersion Relations in Heavily-Doped Nanostructures

این کتاب رابطه پراکندگی را در ساختارهای نانو به شدت دوپ شده ارائه می کند. مواد در نظر گرفته شده عبارتند از III-V، II-VI، IV-VI، GaP، Ge، آنتیمونید پلاتین، تحت فشار، سوپرشبکه های GaSb، Te، II-V، HgTe/CdTe و نیمه هادی های بیسموت تلوراید. رابطه پراکندگی تحت کوانتیزاسیون مغناطیسی و بر اساس طیف انرژی حامل مورد بحث قرار می گیرد. تأثیرات میدان مغناطیسی، وارونگی مغناطیسی، و ساختارهای مغناطیسی نیپی بر روی ساختارهای نانو مورد تجزیه و تحلیل قرار می‌گیرد. ساختار نواری مواد نوری با عکس برانگیختگی به روشی اساسی مطابق با قوانین جدید پراکندگی الکترون فرموله شده تغییر می کند. آنها اثر کوانتومی را در دستگاه های اپتوالکترونیکی در حضور نور کنترل می کنند. اندازه گیری شکاف باند در مواد نوری الکترونیکی در حضور عکس تحریک خارجی نمایش داده می شود. تأثیرات کوانتیزاسیون مغناطیسی، میدان‌های الکتریکی متقاطع و کوانتیزاسیون، میدان‌های الکتریکی شدید بر روی رابطه پراکندگی در نیمه‌هادی‌ها و ابرشبکه‌های به شدت دوپ‌شده نیز مورد بحث قرار می‌گیرد. این کتاب شامل 200 مسئله تحقیق باز است که جزء لاینفک متن است و برای دانشجویان تحصیلات تکمیلی و محققین مفید است. این کتاب برای دانشجویان تحصیلات تکمیلی، محققین و مهندسان نوشته شده است.

This book presents the dispersion relation in heavily doped nano-structures. The materials considered are III-V, II-VI, IV-VI, GaP, Ge, Platinum Antimonide, stressed, GaSb, Te, II-V, HgTe/CdTe superlattices and Bismuth Telluride semiconductors. The dispersion relation is discussed under magnetic quantization and on the basis of carrier energy spectra. The influences of magnetic field, magneto inversion, and magneto nipi structures on nano-structures is analyzed. The band structure of optoelectronic materials changes with photo-excitation in a fundamental way according to newly formulated electron dispersion laws. They control the quantum effect in optoelectronic devices in the presence of light. The measurement of band gaps in optoelectronic materials in the presence of external photo-excitation is displayed. The influences of magnetic quantization, crossed electric and quantizing fields, intense electric fields on the on the dispersion relation in heavily doped semiconductors and super-lattices are also discussed. This book contains 200 open research problems which form the integral part of the text and are useful for graduate students and researchers. The book is written for post graduate students, researchers and engineers.