مشخصات کتاب

Diffusivity in silicon, 1953 to 2009

ویرایش:  
نویسندگان: D  J Fisher  
سری: Diffusion and defect data., Pt. A,, Defect and diffusion forum ;, v. 302 
ISBN (شابک) : 9783038133810, 3038133817 
ناشر: Trans Tech 
سال نشر: 2010 
تعداد صفحات: viii, 221 p. : ill
[173] 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 2 Mb 

در صورت تبدیل فایل کتاب Diffusivity in silicon, 1953 to 2009 به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب انتشار در سیلیکون، 1953 تا 2009 نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب انتشار در سیلیکون، 1953 تا 2009

این کار اساساً به‌روزرسانی مجموعه‌های قبلی اطلاعات در مورد نفوذپذیری عناصر در سیلیکون درجه نیمه‌رسانا است. این داده‌های موجود در تک‌نگار B.L.Sharma در مورد انتشار در نیمه‌هادی‌ها (انتشارات Trans Tech، 1970)، به علاوه داده‌های موجود در داده‌های انتشار و نقص (انتشار در سیلیکون) جلد 45 (1986)، انجمن نقص و انتشار (انجمن نقص و انتشار) را در بر می‌گیرد. انتشار در سیلیکون - 10 سال تحقیق) جلدهای 153-155 (1998)، انجمن نقص و انتشار (انتشار در سیلیکون - یک هفت سال گذشته نگر) جلد 241 (2005) و آخرین داده های اخیر Semiconductor Retrospectives: Defect and Diffusion Forum جلد 245-246، جلد 261-262، جلد 272 و جلد 282. علاوه بر این، 400 مورد از داده ها به امید یافتن برخی از همبستگی های یکپارچه مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. در واقع مشخص شد که به نظر می رسد همه نقاط (هر یک میانگین بسیاری از اندازه گیری های مستقل) روی تعدادی از خطوط مستقیم متمایز قرار می گیرند که از مبدأ نمودار انرژی فعال سازی در مقابل شعاع اتمی عبور می کنند. با این حال، مشخص نیست که چگونه می توان این همبستگی ها را توضیح داد.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This work is essentially an update of previous compilations of information on the diffusivity of elements in semiconductor-grade silicon. It subsumes the data contained in B.L.Sharma’s monograph on ‘Diffusion in Semiconductors‘ (Trans Tech Publications, 1970), plus the data contained in Diffusion and Defect Data (Diffusion in Silicon) Volume 45 (1986), Defect and Diffusion Forum (Diffusion in Silicon - 10 years of Research) Volumes 153-155 (1998), Defect and Diffusion Forum (Diffusion in Silicon - a Seven-Year Retrospective) Volume 241 (2005) and the latest data from recent Semiconductor Retrospectives: Defect and Diffusion Forum, Volumes 245-246, Volumes 261-262, Volume 272 and Volume 282. In addition, the resultant 400 items of data were analysed in the hope of finding some unifying correlation. It was indeed found that all of the points (each the average of many independent measurements) seemed to fall on a number of distinct straight lines passing through the origin of a plot of activation energy versus atomic radius. However, it remained unclear how these correlations could be explained.

نظرات کاربران

کتاب های تصادفی

دانلود کتاب Equazioni a derivate parziali: Complementi ed esercizi

دانلود کتاب 15 aspirantes al título mundial : Torneo de Candidatos Zurich 1953

دانلود کتاب Seeing Red: Hollywood’s Pixeled Skins: American Indians and Film

دانلود کتاب Essentials of Health Economics

دانلود کتاب In Search of European Liberalisms