دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: الکترونیک: رادیو ویرایش: 1 نویسندگان: C.E. Allen, D.L. Beke, H. Bracht, C.M. Bruff, M.B. Dutt, G. Erdelyi, P. Gas, F.M. d'Heurle, G.E. Murch, E.G. Seebauer, B.L. Sharma, N.A. Stolwijk سری: Landolt-Börnstein: Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology. New Series, Group III Condensed Matter ISBN (شابک) : 3540609644, 9783540609643 ناشر: Springer سال نشر: 1998 تعداد صفحات: 483 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 6 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Diffusion in Semiconductors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب انتشار در نیمه هادی ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
زیرجلد A از دو زیر جلد در مورد انتشار در نیمه رساناها و جامدات غیرفلزی شامل مجموعه ای جامع و حیاتی از داده ها برای مواد و خواص زیر است: انتشار در سیلیکون، ژرمانیوم و آلیاژهای آنها، انتشار در نیمه هادی های ترکیبی، انتشار در سیلیسیدها، انتشار شیمیایی در نیمه هادی های ناهمگن توده، انتشار مرز دانه و نابجایی در نیمه هادی ها و سیلیسیدها و انتشار سطحی در نیمه هادی ها. اگرچه بیشتر سیلیسیدها نیمه رسانا نیستند، این فصل در اینجا گنجانده شده است زیرا تعدادی از آنها در فناوری Si یکپارچه شده اند و به دلیل اینکه در جلد قبلی III/26 در مورد انتشار در مواد فلزی پوشش داده نشده است. زیرجلد A حاوی یک CD-ROM است.
Subvolume A of two subvolumes on Diffusion in Semi-conductors and Non-Metallic Solids consists of a comprehensive and critical compilation of data for the following materials and properties: diffusion in silicon, germanium and their alloys, diffusion in compound semiconductors, diffusion in silicides, chemical diffusion in bulk inhomogeneous semiconductors, grain-boundary and dislocation diffusion in semiconductors and silicides and surface diffusion on semiconductors. Although most of the silicides are not semiconducting, this chapter is included here because a number of them have become integrated in the Si technology and because they were not covered in the previous volume III/26 on diffusion in metallic substances. Subvolume A contains a CD-ROM.