دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1st ed. نویسندگان: Iraj Sadegh Amiri, Hossein Mohammadi, Mahdiar Hosseinghadiry سری: ISBN (شابک) : 9783030045128, 9783030045135 ناشر: Springer International Publishing سال نشر: 2019 تعداد صفحات: 125 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 4 مگابایت
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
کلمات کلیدی مربوط به کتاب فیزیک دستگاه، مدلسازی، فناوری و تجزیه و تحلیل برای MESFET سیلیکون: مهندسی، مدارها و سیستم ها، مدارها و دستگاه های الکترونیکی، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق
در صورت تبدیل فایل کتاب Device Physics, Modeling, Technology, and Analysis for Silicon MESFET به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب فیزیک دستگاه، مدلسازی، فناوری و تجزیه و تحلیل برای MESFET سیلیکون نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب اطلاعات دقیق و دقیقی در مورد تاریخچه، ساختار، عملکرد، مزایا و ساختارهای پیشرفته MESFET سیلیکونی به همراه مدلسازی و تحلیل دستگاه ارائه میدهد. نویسندگان فیزیک دقیقی را که در مدلسازی SOI-MESFET مهم هستند، توضیح میدهند و مشتقات عبارات مدل فشرده را ارائه میدهند تا کاربران بتوانند معنای فیزیکی معادلات و پارامترهای مدل را تشخیص دهند. این بحث همچنین شامل ساختارهای پیشرفته برای SOI-MESFET برای کاربردهای زیر میکرون است.
This book provides detailed and accurate information on the history, structure, operation, benefits and advanced structures of silicon MESFET, along with modeling and analysis of the device. The authors explain the detailed physics that are important in modeling of SOI-MESFETs, and present the derivations of compact model expressions so that users can recognize the physical meaning of the model equations and parameters. The discussion also includes advanced structures for SOI-MESFET for submicron applications.
Front Matter ....Pages i-ix
Invention and Evaluation of Transistors and Integrated Circuits (Iraj Sadegh Amiri, Hossein Mohammadi, Mahdiar Hosseinghadiry)....Pages 1-9
General Overview of the Basic Structure and Operation of a Typical Silicon on Insulator Metal–Semiconductor Field Effect Transistor (SOI-MESFET) (Iraj Sadegh Amiri, Hossein Mohammadi, Mahdiar Hosseinghadiry)....Pages 11-41
Modeling of Classical SOI MESFET (Iraj Sadegh Amiri, Hossein Mohammadi, Mahdiar Hosseinghadiry)....Pages 43-58
Design and Modeling of Triple-Material Gate SOI MESFET (Iraj Sadegh Amiri, Hossein Mohammadi, Mahdiar Hosseinghadiry)....Pages 59-71
Three-Dimensional Analytical Model of the Non-Classical Three-Gate SOI MESFET (Iraj Sadegh Amiri, Hossein Mohammadi, Mahdiar Hosseinghadiry)....Pages 73-92
Analytical Investigation of Subthreshold Performance of SOI MESFET Devices (Iraj Sadegh Amiri, Hossein Mohammadi, Mahdiar Hosseinghadiry)....Pages 93-111
Future Works on Silicon-on-Insulator Metal–Semiconductor Field Effect Transistors (SOI MESFETs) (Iraj Sadegh Amiri, Hossein Mohammadi, Mahdiar Hosseinghadiry)....Pages 113-115
Back Matter ....Pages 117-122