Design and Realization of Novel GaAs Based Laser Concepts

ناهمسان‌ساختارهای نیمه‌رسانا نشان‌دهنده ستون فقرات برای تنوع فزاینده‌ای از دستگاه‌های الکترونیکی و فوتونیکی هستند، برای کاربردهایی از جمله ذخیره‌سازی اطلاعات، ارتباطات و پردازش مواد، فقط چند مورد. مفاهیم جدید ساختاری و مواد برای افزایش بیشتر محدودیت های عملکرد دستگاه های فعلی و باز کردن حوزه های کاربردی جدید مورد نیاز است.
این پایان نامه نشان می دهد که چگونه ویژگی های کلیدی عملکرد سه نوع کاملاً متفاوت لیزر نیمه هادی را می توان با استفاده از طراحی هوشمندانه نانوساختار و تکنیک های رشد همپایی طراحی کرد. تمام جنبه‌های ساخت لیزر، از طراحی و رشد نانوساختارها با استفاده از اپیتاکسی فاز بخار فلزی-آلی، تا ساخت و تعیین مشخصات دستگاه‌های کامل مورد بحث قرار گرفته است.

Semiconductor heterostructures represent the backbone for an increasing variety of electronic and photonic devices, for applications including information storage, communication and material treatment, to name but a few. Novel structural and material concepts are needed in order to further push the performance limits of present devices and to open up new application areas.
This thesis demonstrates how key performance characteristics of three completely different types of semiconductor lasers can be tailored using clever nanostructure design and epitaxial growth techniques. All aspects of laser fabrication are discussed, from design and growth of nanostructures using metal-organic vapor-phase epitaxy, to fabrication and characterization of complete devices.