Defects in Semiconductors, Volume 91

این جلد، شماره 91 در سری نیمه هادی ها و نیمه فلزات، بر نقص در نیمه هادی ها تمرکز دارد. نقص در نیمه هادی ها به توضیح چندین پدیده، از انتشار تا گیرنده، و ارائه نظریه هایی در مورد رفتار مواد در پاسخ به میدان های الکتریکی یا مکانیکی کمک می کند.

این جلد شامل فصل هایی است که به طور خاص بر تابش الکترون و پروتون سیلیکون تمرکز دارد. عیوب نقطه ای در اکسید روی و نیترید گالیم، نقص کاشت یون و اتصالات کم عمق در سیلیکون و ژرمانیوم و بسیاری موارد دیگر. این به حمایت از دانش‌آموزان و دانشمندان در مسیرهای تجربی و نظری کمک می‌کند.

• مشارکت‌کنندگان متخصص
• بررسی‌های مهم‌ترین ادبیات اخیر
• تصاویر واضح< /li>
• نمای وسیعی از جمله بررسی عیوب در نیمه هادی های مختلف

This volume, number 91 in the Semiconductor and Semimetals series, focuses on defects in semiconductors. Defects in semiconductors help to explain several phenomena, from diffusion to getter, and to draw theories on materials' behavior in response to electrical or mechanical fields.

The volume includes chapters focusing specifically on electron and proton irradiation of silicon, point defects in zinc oxide and gallium nitride, ion implantation defects and shallow junctions in silicon and germanium, and much more. It will help support students and scientists in their experimental and theoretical paths.

• Expert contributors
• Reviews of the most important recent literature
• Clear illustrations
• A broad view, including examination of defects in different semiconductors