برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید

09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Defects in microelectronic materials and devices

دانلود کتاب نقص در مواد و دستگاه های میکروالکترونیکی

مشخصات کتاب

Defects in microelectronic materials and devices

دسته بندی: ابزار
ویرایش:  
نویسندگان: D  M Fleetwood,  Sokrates T Pantelides,  Ronald Donald Schrimpf  
سری:  
ISBN (شابک) : 9781420043761, 1420043765 
ناشر: CRC Press  
سال نشر: 2009 
تعداد صفحات: 753 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 19 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 44,000

کلمات کلیدی مربوط به کتاب نقص در مواد و دستگاه های میکروالکترونیکی: ابزار دقیق، نیمه هادی ها

میانگین امتیاز به این کتاب :
تعداد امتیاز دهندگان : 17

در صورت تبدیل فایل کتاب Defects in microelectronic materials and devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب نقص در مواد و دستگاه های میکروالکترونیکی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب نقص در مواد و دستگاه های میکروالکترونیکی

کشف نقایصی که عملکرد و قابلیت اطمینان را به خطر می اندازد، همانطور که ویژگی ها و دستگاه های میکروالکترونیک کوچکتر و پیچیده تر می شوند، بسیار مهم است که مهندسان و فناوران به طور کامل درک کنند که چگونه قطعات می توانند در طی فرآیندهای ساخت پیچیده تر مورد نیاز برای تولید آنها آسیب ببینند. این کتاب یک بررسی جامع از نقص‌هایی است که در فن‌آوری‌های ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلزی مبتنی بر سیلیکون (MOSFET) رخ می‌دهد، همچنین نقص‌های فناوری‌های دوقطبی خطی، دستگاه‌های مبتنی بر کاربید سیلیکون، و مواد و دستگاه‌های آرسنید گالیم را مورد بحث قرار می‌دهد. این عیوب می توانند عمیقاً بر بازده، عملکرد، قابلیت اطمینان طولانی مدت و پاسخ تشعشع دستگاه های میکروالکترونیک و مدارهای مجتمع (IC) تأثیر بگذارند. این متن با سازماندهی مطالب برای درک مشکلات و ارائه یک مرجع سریع برای دانشمندان، مهندسان و فن‌شناسان، عیوب و ناخالصی‌های محدودکننده بازده و عملکرد را در لایه سیلیکون دستگاه، در عایق دروازه و/یا در شرایط بحرانی بررسی می‌کند. رابط Si/SiO2. سپس به بررسی عیوبی می‌پردازد که بر عملکرد تولید و قابلیت اطمینان طولانی‌مدت تأثیر می‌گذارند، از جمله: جاهای خالی، بینابینی‌ها و ناخالصی‌ها (به ویژه هیدروژن) ناپایداری‌های دمایی بایاس منفی نقص در اکسیدهای بسیار نازک (SiO2 و اکسی نیترید سیلیکون) رویکردی فعال دارند نویسندگان چندین دهه تجربه را متراکم کرده‌اند. و دیدگاه‌های تجربی‌شناسان و نظریه‌پردازان برجسته برای توصیف ویژگی‌های نقص و تأثیر آنها بر دستگاه‌های میکروالکترونیکی. آنها نقص ها را شناسایی می کنند، راه حل هایی برای اجتناب از آنها و روش هایی برای تشخیص آنها ارائه می دهند. اینها شامل استفاده از تصویربرداری سه بعدی و همچنین روش های الکتریکی، تحلیلی، محاسباتی، طیف سنجی و میکروسکوپی پیشرفته است. این کتاب نگاهی ارزشمند به چالش‌های ناشی از مواد در حال ظهور است، مانند دی‌الکتریک‌های دروازه‌ای با پتاسیم بالا و بسترهای با تحرک بالا که برای جایگزینی Si02 به عنوان ماده دی‌الکتریک دروازه ترجیحی، و بسترهای با تحرک بالا توسعه می‌یابند.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Uncover the Defects that Compromise Performance and Reliability As microelectronics features and devices become smaller and more complex, it is critical that engineers and technologists completely understand how components can be damaged during the increasingly complicated fabrication processes required to produce them. A comprehensive survey of defects that occur in silicon-based metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) technologies, this book also discusses flaws in linear bipolar technologies, silicon carbide-based devices, and gallium arsenide materials and devices. These defects can profoundly affect the yield, performance, long-term reliability, and radiation response of microelectronic devices and integrated circuits (ICs). Organizing the material to build understanding of the problems and provide a quick reference for scientists, engineers and technologists, this text reviews yield- and performance-limiting defects and impurities in the device silicon layer, in the gate insulator, and/or at the critical Si/SiO2 interface. It then examines defects that impact production yield and long-term reliability, including: Vacancies, interstitials, and impurities (especially hydrogen) Negative bias temperature instabilities Defects in ultrathin oxides (SiO2 and silicon oxynitride) Take A Proactive Approach The authors condense decades of experience and perspectives of noted experimentalists and theorists to characterize defect properties and their impact on microelectronic devices. They identify the defects, offering solutions to avoid them and methods to detect them. These include the use of 3-D imaging, as well as electrical, analytical, computational, spectroscopic, and state-of-the-art microscopic methods. This book is a valuable look at challenges to come from emerging materials, such as high-K gate dielectrics and high-mobility substrates being developed to replace Si02 as the preferred gate dielectric material, and high-mobility substrates.