Debye Screening Length: Effects of Nanostructured Materials

این مونوگراف صرفاً به بررسی طول غربالگری Debye (DSL) در نیمه هادی ها و ساختارهای نانو آنها می پردازد. مواد در نظر گرفته شده به ترتیب ساختارهای کوانتیزه شده از نوری غیر خطی، III-V، II-VI، Ge، Te، آنتیمونید پلاتین، مواد تحت تنش، بیسموت، GaP، گالیوم آنتیموناید، II-V و تلورید بیسموت هستند. DSL در مواد نوری الکترونیک و همتایان محدود کوانتومی آنها در حضور امواج نور قوی و میدان های الکتریکی شدید بر اساس قوانین جدید پراکندگی الکترون فرموله شده که مطالعات چنین دستگاه های اثر کوانتومی را کنترل می کند، مورد مطالعه قرار می گیرد. پیشنهادات برای تعیین تجربی DSL 2D و 3D و اهمیت اندازه‌گیری فاصله باند در مواد نوری تحت میدان الکتریکی داخلی شدید در دستگاه‌های نانو و تحریک عکس خارجی قوی (برای اندازه‌گیری خواص فیزیکی ناشی از فوتون) نیز در این مقاله مورد بحث قرار گرفته است. این زمینه تأثیر میدان‌های مغناطیسی الکتریکی و کوانتیزاسیون متقاطع بر DSL و DSL در نیمه‌هادی‌های به شدت دوپ‌شده و نانوساختارهای آن‌ها بررسی شده است. این مونوگراف شامل 150 مسئله تحقیق باز است که بخش جدایی ناپذیر متن را تشکیل می دهد و برای دانشجویان دکترا و محققین در زمینه های علوم حالت جامد، علم مواد، علوم و فناوری نانو و رشته های وابسته علاوه بر دوره های تحصیلات تکمیلی مفید است. در نانوساختارهای نیمه هادی مدرن.

This monograph solely investigates the Debye Screening Length (DSL) in semiconductors and their nano-structures. The materials considered are quantized structures of non-linear optical, III-V, II-VI, Ge, Te, Platinum Antimonide, stressed materials, Bismuth, GaP, Gallium Antimonide, II-V and Bismuth Telluride respectively. The DSL in opto-electronic materials and their quantum confined counterparts is studied in the presence of strong light waves and intense electric fields on the basis of newly formulated electron dispersion laws that control the studies of such quantum effect devices. The suggestions for the experimental determination of 2D and 3D DSL and the importance of measurement of band gap in optoelectronic materials under intense built-in electric field in nano devices and strong external photo excitation (for measuring photon induced physical properties) have also been discussed in this context. The influence of crossed electric and quantizing magnetic fields on the DSL and the DSL in heavily doped semiconductors and their nanostructures has been investigated. This monograph contains 150 open research problems which form the integral part of the text and are useful for both PhD students and researchers in the fields of solid-state sciences, materials science, nano-science and technology and allied fields in addition to the graduate courses in modern semiconductor nanostructures.