دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب CVD of Compound Semiconductors: Precursor Synthesis, Development and Applications
دانلود کتاب CVD نیمه هادی های مرکب: سنتز پیش ساز، توسعه و کاربردها
مشخصات کتاب
CVD of Compound Semiconductors: Precursor Synthesis, Development and Applications
ویرایش: نویسندگان: Prof. Anthony C. Jones, Prof. Paul O'Brien(auth.) سری: ISBN (شابک) : 9783527292943, 9783527614639 ناشر: VCH Verlagsgesellschaft mbH سال نشر: 1997 تعداد صفحات: 349 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 11 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 38,000
در صورت تبدیل فایل کتاب CVD of Compound Semiconductors: Precursor Synthesis, Development and Applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب CVD نیمه هادی های مرکب: سنتز پیش ساز، توسعه و کاربردها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب CVD نیمه هادی های مرکب: سنتز پیش ساز، توسعه و کاربردها
روش های رشد شیمیایی مواد الکترونیکی سنگ اصلی پردازش دستگاه های
میکروالکترونیکی است. این کتاب کاربردهای شیمی فلز آلی برای رسوب
فاز بخار نیمه هادی های ترکیبی را مورد بحث قرار می دهد. روش های
فاز بخار مورد استفاده برای رسوب دهی نیمه هادی ها و خواص موادی
که پیش سازهای آلی فلزی را در صنعت الکترونیک مفید می کند برای
انواع مواد مورد بحث قرار گرفته است.
موضوعات شامل:
* تکنیک ها برای رشد نیمه هادی مرکب
* پیش سازهای فلزی برای III-V MOVPE
* پیش سازهای فلزی برای II-VI MOVPE
* پیش سازهای تک منبعی
* اپیتاکسی پرتو شیمیایی
* اپیتاکسی لایه اتمی
چندین ضمیمه مفید و فهرستی از منابع به‌روز و منتخب، این کتابچه
راهنمای کاربردی را برای دانشمندان مواد، شیمی‌دانان حالت جامد و
آلی فلزی، و مهندسان تکمیل می‌کند.
محتوا:
مفاهیم اساسی فصل 1 (صفحات 1-42):
فصل 2 شیمی پیشرو (صفحات 43-98):
فصل 3 MOVPE از ترکیبات III-V (صفحات 99-186 ):
فصل 4 MOVPE ترکیبات II–VI (صفحات 187-228):
فصل 5 پیش سازهای متالارگانیک برای اپیتاکسی پرتوهای شیمیایی
(صفحات 229-272):
فصل 6 اپیتاکسی لایه اتمی (صفحات 273-286):
فصل 7 رویکرد منبع واحد برای رسوب مواد نیمه رسانای مرکب توسط
MOCVD و روش های مرتبط (صفحه های 288-312):
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Chemical growth methods of electronic materials are the
keystone of microelectronic device processing. This book
discusses the applications of metalorganic chemistry for the
vapor phase deposition of compound semiconductors. Vapor phase
methods used for semiconductor deposition and the materials
properties that make the organometallic precursors useful in
the electronics industry are discussed for a variety of
materials.
Topics included:
* techniques for compound semiconductor growth
* metalorganic precursors for III-V MOVPE
* metalorganic precursors for II-VI MOVPE
* single-source precursors
* chemical beam epitaxy
* atomic layer epitaxy
Several useful appendixes and a critically selected, up-to-date
list of references round off this practical handbook for
materials scientists, solid-state and organometallic chemists,
and engineers.
Content:
Chapter 1 Basic Concepts (pages 1–42):
Chapter 2 Precursor Chemistry (pages 43–98):
Chapter 3 MOVPE of III–V Compounds (pages 99–186):
Chapter 4 MOVPE of II–VI Compounds (pages 187–228):
Chapter 5 Metalorganic Precursors for Chemical Beam Epitaxy
(pages 229–272):
Chapter 6 Atomic Layer Epitaxy (pages 273–286):
Chapter 7 The Single Source Approach to the Deposition of
Compound Semiconducting Materials by MOCVD and Related Methods
(pages 288–312):
