دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: Kullaiah Byrappa. T. Ohachi
سری:
ISBN (شابک) : 0815514530, 9780815514534
ناشر: William Andrew
سال نشر: 2003
تعداد صفحات: 607
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 15 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Crystal Growth Technology به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب فناوری رشد بلوری نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
کریستال ها ستون های ناشناخته فناوری مدرن هستند. پیشرفت های
تکنولوژیک مدرن تا حد زیادی به در دسترس بودن تک بلورهای مناسب
بستگی دارد، چه برای لیزر، نیمه هادی ها، دستگاه های مغناطیسی،
دستگاه های نوری، ابررساناها، مخابرات و غیره. مراحل اولیه با
توجه به رشد چندین کریستال مهم مانند الماس، کاربید سیلیکون، PZT،
نیترید گالیوم و غیره. تا زمانی که علم رشد این کریستال ها به طور
دقیق درک نشده باشد، رشد آنها به عنوان تک بلورهای بزرگ برای
استفاده در صنعت مدرن غیرممکن است.
این کتاب تقریباً به تمام تکنیکهای رشد کریستال مدرنی که اتخاذ
شدهاند، از جمله مطالعات موردی مناسب، میپردازد. از آنجایی که
پس از کتاب راهنمای رشد کریستال، ویرایش، کتاب دیگری برای پوشش
این موضوع منتشر نشده است. DTJ Hurle که در سالهای 1993-1995
منتشر شد، این کتاب شکاف موجود را برای خوانندگان خود پر
میکند.
کتاب با \"\"تاریخچههای رشد کریستالهای معدنی\"\" توسط ارشدترین
متخصص در این زمینه شروع میشود. رشته، پروفسور ایچیرو سوناگاوا.
فصل بعدی پیشرفتهای اخیر در نظریه رشد کریستال را بررسی میکند،
که قبل از رفتن به تکنیکهای واقعی به همان اندازه مهم است. پس از
دو فصل اول، این کتاب موضوعات دیگری مانند پیشرفت اخیر در رشد
کوارتز، رشد الماس، تک بلورهای کاربید سیلیکون، کریستالهای PZT،
کریستالهای نوری غیرخطی، کریستالهای لیزر حالت جامد، سنگهای
قیمتی، اکسیدهای با ذوب بالا مانند نیوباتهای لیتیوم، هیدروکسی
آپاتیت را پوشش میدهد. GaAs توسط اپیتاکسی پرتو مولکولی، کریستال
های ابررسانا، کنترل مورفولوژی و غیره. برای اولین بار، مدلسازی
رشد کریستال با اشاره به کریستالهای PZT و SiC به تفصیل مورد بحث
قرار گرفته است.
Crystals are the unacknowledged pillars of modern technology.
The modern technological developments depend greatly on the
availability of suitable single crystals, whether it is for
lasers, semiconductors, magnetic devices, optical devices,
superconductors, telecommunication, etc. In spite of great
technological advancements in the recent years, we are still in
the early stage with respect to the growth of several important
crystals such as diamond, silicon carbide, PZT, gallium
nitride, and so on. Unless the science of growing these
crystals is understood precisely, it is impossible to grow them
as large single crystals to be applied in modern
industry.
This book deals with almost all the modern crystal growth
techniques that have been adopted, including appropriate case
studies. Since there has been no other book published to cover
the subject after the Handbook of Crystal Growth, Eds. DTJ
Hurle, published during 1993-1995, this book will fill the
existing gap for its readers.
The book begins with ""Growth Histories of Mineral Crystals""
by the most senior expert in this field, Professor Ichiro
Sunagawa. The next chapter reviews recent developments in the
theory of crystal growth, which is equally important before
moving on to actual techniques. After the first two fundamental
chapters, the book covers other topics like the recent progress
in quartz growth, diamond growth, silicon carbide single
crystals, PZT crystals, nonlinear optical crystals, solid state
laser crystals, gemstones, high melting oxides like lithium
niobates, hydroxyapatite, GaAs by molecular beam epitaxy,
superconducting crystals, morphology control, and more. For the
first time, the crystal growth modeling has been discussed in
detail with reference to PZT and SiC crystals.