Computer-Aided Design and VLSI Device Development

نمونه هایی ارائه شده است. این فصول برای آشنایی خواننده با برنامه ها در نظر گرفته شده است. ساختار برنامه و مدل های مورد استفاده تنها به طور خلاصه توضیح داده خواهد شد. از آنجایی که این برنامه‌ها در حوزه عمومی هستند (به استثنای برنامه‌های شبیه‌سازی انگلی)، خواننده برای جزئیات بیشتر به کتابچه‌های راهنما ارجاع داده می‌شود. در این ویرایش دوم، برنامه فرآیند SUPREM III به فصل 2 اضافه شده است. برنامه شبیه سازی دستگاه PISCES جایگزین برنامه SIFCOD در فصل 3 شده است. یک شبیه ساز انگلی سه بعدی FCAP3 به فصل 4 اضافه شده است. واضح است که اینها برنامه ها یا سایر برنامه ها با قابلیت های مشابه برای توسعه دستگاه VLSI/ULSI ضروری خواهند بود. بخش B کتاب مطالعات موردی را ارائه می‌کند، که در آن کاربرد ابزارهای شبیه‌سازی برای حل مشکلات طراحی دستگاه VLSI به تفصیل شرح داده شده است. فیزیک مسائل با کمک شبیه سازی عددی نشان داده شده است. راه حل هایی برای این مشکلات ارائه شده است. مسائل مربوط به توسعه دستگاه های پیشرفته مانند کاهش سد ناشی از تخلیه، جداسازی ترانشه، اثرات الکترو ترون داغ، پوسته پوسته شدن دستگاه و انگلی های اتصال مورد بحث قرار می گیرد. در این ویرایش دوم، دو فصل جدید اضافه شده است. فصل 6 روش‌شناسی و اهمیت برنامه‌های شبیه‌سازی معیار، در این مورد برنامه SUPREM III را ارائه می‌کند. فصل 13 یک رویکرد سیستماتیک را برای بررسی حساسیت ویژگی‌های دستگاه به تغییرات فرآیند، و همچنین مبادله بین طراحی‌های مختلف دستگاه توصیف می‌کند.

examples are presented. These chapters are intended to introduce the reader to the programs. The program structure and models used will be described only briefly. Since these programs are in the public domain (with the exception of the parasitic simulation programs), the reader is referred to the manuals for more details. In this second edition, the process program SUPREM III has been added to Chapter 2. The device simulation program PISCES has replaced the program SIFCOD in Chapter 3. A three-dimensional parasitics simulator FCAP3 has been added to Chapter 4. It is clear that these programs or other programs with similar capabilities will be indispensible for VLSI/ULSI device developments. Part B of the book presents case studies, where the application of simu­ lation tools to solve VLSI device design problems is described in detail. The physics of the problems are illustrated with the aid of numerical simulations. Solutions to these problems are presented. Issues in state-of-the-art device development such as drain-induced barrier lowering, trench isolation, hot elec­ tron effects, device scaling and interconnect parasitics are discussed. In this second edition, two new chapters are added. Chapter 6 presents the methodol­ ogy and significance of benchmarking simulation programs, in this case the SUPREM III program. Chapter 13 describes a systematic approach to investi­ gate the sensitivity of device characteristics to process variations, as well as the trade-otIs between different device designs.