دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: Kit Man Cham, Soo-Young Oh, Daeje Chin, John L. Moll (auth.) سری: The Springer International Series in Engineering and Computer Science 7 ISBN (شابک) : 9781461296058, 9781461325536 ناشر: Springer US سال نشر: 1986 تعداد صفحات: 316 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 10 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب طراحی به کمک کامپیوتر و توسعه دستگاه VLSI: مدارها و سیستم ها، مهندسی برق
در صورت تبدیل فایل کتاب Computer-Aided Design and VLSI Device Development به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب طراحی به کمک کامپیوتر و توسعه دستگاه VLSI نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب به استفاده از طراحی به کمک رایانه (CAD) در توسعه دستگاه و فرآیند مدارهای یکپارچه در مقیاس بسیار بزرگ (VLSI) می پردازد. تاکید بر فناوری فلز-اکسید-نیمه هادی (MOS) است. پیشرفته ترین دستگاه و توسعه فرآیند ارائه شده است. این کتاب به عنوان مرجعی برای مهندسین درگیر در توسعه VLSI در نظر گرفته شده است که باید بسیاری از مشکلات دستگاه و فرآیند را حل کنند. متخصصان CAD نیز این کتاب را مفید خواهند یافت زیرا سازماندهی سیستم شبیهسازی را مورد بحث قرار میدهد و همچنین مطالعات موردی زیادی را ارائه میکند که در آن کاربر ابزارهای CAD را در موقعیتهای مختلف به کار میبرد. این کتاب همچنین به عنوان متن یا مرجع برای دانشجویان تحصیلات تکمیلی در زمینه ساخت مدارهای مجتمع در نظر گرفته شده است. حوزههای اصلی فیزیک و پردازش دستگاه با شبیهسازی توصیف و نشان داده شدهاند. مطالب این کتاب حاصل چندین سال کار بر روی پیادهسازی سیستم شبیهسازی، اصلاح مدلهای فیزیکی در برنامههای شبیهسازی و کاربرد برنامهها در بسیاری از موارد پیشرفت دستگاه است. متن به عنوان انتشارات در مجلات و مقالات کنفرانس آغاز شد، به اندازه یادداشت های سخنرانی برای یک دوره CAD داخلی هیولت پاکارد. این کتاب از دو بخش تشکیل شده است. با مروری بر وضعیت CAD در VLSI شروع میشود، که نشان میدهد چرا CAD در توسعه VLSI ضروری است. بخش A سازماندهی سیستم شبیه سازی دو بعدی را ارائه می دهد.
This book is concerned with the use of Computer-Aided Design (CAD) in the device and process development of Very-Large-Scale-Integrated Circuits (VLSI). The emphasis is in Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) technology. State-of-the-art device and process development are presented. This book is intended as a reference for engineers involved in VLSI develop ment who have to solve many device and process problems. CAD specialists will also find this book useful since it discusses the organization of the simula tion system, and also presents many case studies where the user applies the CAD tools in different situations. This book is also intended as a text or reference for graduate students in the field of integrated circuit fabrication. Major areas of device physics and processing are described and illustrated with Simulations. The material in this book is a result of several years of work on the implemen tation of the simulation system, the refinement of physical models in the simulation programs, and the application of the programs to many cases of device developments. The text began as publications in journals and con ference proceedings, as weil as lecture notes for a Hewlett-Packard internal CAD course. This book consists of two parts. It begins with an overview of the status of CAD in VLSI, which pointsout why CAD is essential in VLSI development. Part A presents the organization of the two-dimensional simulation system.
Front Matter....Pages i-xi
Overview....Pages 1-9
Front Matter....Pages 11-11
Introduction to Numerical Simulation System....Pages 13-21
Process Simulation....Pages 23-64
Device Simulation....Pages 65-111
FCAP2: Parasitic Capacitance/Resistance Simulator....Pages 113-119
Front Matter....Pages 121-121
Methodology in Computer-Aided Design for Process and Device Development....Pages 123-130
Basic Techniques in Simulations for Advanced Process Development....Pages 131-158
Drain-Induced Barrier Lowering In Short Channel Transistors....Pages 159-169
Transistor Design for Submicron CMOS Technology....Pages 171-197
The Surface Inversion Problem in Trench Isolated CMOS....Pages 199-216
Development of Isolation Structures for Applications in VLSI....Pages 217-237
A Study of LDD Device Structure Using 2-D Simulations....Pages 239-259
MOSFET Scaling by CADDET....Pages 261-282
Parasitics Extraction for VLSI Process Development....Pages 283-300
Back Matter....Pages 301-315